Способ отжига ионно-легированных полупроводников
Патент 1028202
Авторы
Классы МПК
Способ отжига ионно-легированных полупроводников
Реферат
Способ отжига ионно-легированных полупроводников, включающий импульсный СВЧ-нагрев, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса термообработки и повышения однородности отжига ионно-легированных слоев полупроводников с малой величиной проводимости, нагрев полупроводников проводят импульсом СВЧ-излучения со следующими параметрами: длительность импульса СВЧ-излучения 10-6 - 102С, основная частота СВЧ-излучения 950 Мгц - 10 ГГц, плотность поглощенной энергии СВЧ-импульса рассчитывают по формуле E T(Cndn+2cT3t), Дж/см2 где T = To = Tн; To - температура отжига ионно-легированного слоя полупроводника; TH - начальная температура полупроводника; Cn - теплоемкость полупроводника; dn - толщина отжигаемого полупроводника; c - постоянная Стефана-Больцмана, t - длительность импульса СВЧ-излучения.