Способ создания фоточувствительных элементов на антимониде индия
Патент 915684
Авторы
Классы МПК
Способ создания фоточувствительных элементов на антимониде индия
Реферат
Способ создания фоточувствительных элементов, на антимониде индия p-типа проводимости, включающий операции фотолитографии, нанесения диэлектрических покрытий, облучения протонами для создания p-n-переходов, нанесения контактов к элементам на кристалле, присоединения кристаллов к основанию корпуса, отличающийся тем, что, с целью избежания деградации параметров p-n-переходов во время технологических нагревов, облучение проводят после всех технологических операций.