H01L21/425 - с внедрением ионов (трубки с ионным пучком для локальной обработки H01J 37/30)

Способ создания фоточувствительных элементов на антимониде индия

Способ создания фоточувствительных элементов, на антимониде индия p-типа проводимости, включающий операции фотолитографии, нанесения диэлектрических покрытий, облучения протонами для создания p-n-переходов, нанесения контактов к элементам на кристалле, присоединения кристаллов к основанию корпуса, отличающийся тем, что, с целью избежания деградации параметров p-n-переходов во время технол...

915684

Способ изготовления четырехслойной полупроводниковой структуры

Способ изготовления четырехслойной полупроводниковой структуры, включающий введение легирующей примеси в кристалл кремния и последующий термический отжиг, отличающийся тем, что, с целью снижения температуры и длительности процесса формирования структуры при сохранении времени жизни неосновных носителей заряда, в качестве легирующей примеси используют натрий, который вводят в кристалл ионн...

1094523

Способ формирования имплантированных слоев теллурида кадмия - ртути

(19) RU (11) (51) 5 Н 1 L21 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИН. К ПАТЕНТУ Комитет Российской Федерации по натентам и товарным знакам (2Ц 5038355/25 (22} 21.02.92 (46} 151193 Áêà йя 41-42 P1} Научно-производственное объединение "Орион" (72} Корольков ВЛ.; Болтарь К.О. (73} Научно-производственное объединение "ОриОн (54} COOCQS ФОРМИРОВАНИЯ ИМПЛАНТИРОВАННЫХ СЛОЕВ ТЕЛЛУРИДА КАДМИЯ РТУТИ (И}...

2003202

Способ создания на образцах cdxhg1-xte p-типа структур с глубококомпенсированным слоем

Использование: полупроводниковая техника, в частности технология изготовления фотоприборов. Сущность: в нагретый до температуры 70 170°С образец CdxHg1-xTe P-типа проводят имплантацию ионов с энергией 10 150 кэВ и дозой 1012- 1014 см-2. При маскировании образца капсулирующим диэлектрическим покрытием, имплантацию проводят ионами, энергию которых увеличивают на величину энергетических поте...

2023326

Способ получения слоев n-типа проводимости в образцах cdx hg1-xte р-типа

Испоьзование: в технологии изготовления фотоприборов. Сущность изобретения: способ заключается в обработке поверхности образца из CdxHg1-xTe p-типа в плазме высокочастотного разряда ускоренными ионами с энергией 1 - 10 эВ и плотностью тока 4-8 мкА/см2. Затем проводят послойное травление образца, чередуя его с контролем свободных носителей на поверхности. Травление проводят до слоя с конц...

2035804

Способ получения ферромагнитного полупроводникового материала

Изобретение относится к технологии получения ферромагнитных полупроводниковых материалов. Сущность изобретения: в способе получения ферромагнитного полупроводникового материала, включающем введение в подложку на основе диоксида титана ионов примеси кобальта с применением ионно-лучевой имплантации, имплантацию ионов кобальта осуществляют в монокристаллическую подложку рутила TO2, ориентированную...

2361320

Ферромагнитный полупроводниковый материал

Изобретение относится к области материалов полупроводниковой электроники и может быть использовано для создания элементов спинтронных устройств, сочетающих источник и приемник поляризованных спинов носителей заряда в тройной гетероструктуре ферромагнитный полупроводник/немагнитный полупроводник/ферромагнитный полупроводник. Техническим результатом изобретения является создание ферромагнитного по...

2515426

Способ изготовления дифракционной решетки

Изобретение относится к оптике. Способ изготовления дифракционной решетки заключается в формировании на поверхности исходной подложки элементов заданной структуры дифракционной решетки путем ионной имплантации через поверхностную маску, при этом имплантацию осуществляют ионами металла с энергией 5-1100 кэВ, дозой облучения, обеспечивающей концентрацию вводимых атомов металла в облучаемой подлож...

2544873

H01L21/425 - с внедрением ионов (трубки с ионным пучком для локальной обработки H01J 37/30)

Патенты в этой категории