Способ изготовления четырехслойной полупроводниковой структуры

Способ изготовления четырехслойной полупроводниковой структуры

Реферат

Способ изготовления четырехслойной полупроводниковой структуры, включающий введение легирующей примеси в кристалл кремния и последующий термический отжиг, отличающийся тем, что, с целью снижения температуры и длительности процесса формирования структуры при сохранении времени жизни неосновных носителей заряда, в качестве легирующей примеси используют натрий, который вводят в кристалл ионной имплантации при дозе 200-2000 мкКл/см², а последующий отжиг проводят при температуре 675-725^oС в течение 23-35 мин.