Король В.М.

 Способ изготовления p-n-перехода в кремнии p-типа путем внедрения в кристалл кремния ускоренных ионов щелочных металлов, например Na, при дозе 10-200 мкК/см2, отжига, например, при 480-550oС и нанесения электродов, отличающийся тем, что, с целью повышения напряжения пробоя перехода, после нанесения электродов со стороны p-n-перехода дополнительно внедряют ионы щелочных металлов при дозе 0...

 1. Способ создания дрейфового поля в базах фотопреобразователей, включающий введение донорной примеси в базу с тыльной стороны исходной кремниевой пластины n-типа проводимости, отличающийся тем, что, с целью сохранения времени жизни неосновных носителей в базе и сокращения длительности процесса, в качестве донорной примеси используют натрий, который вводят в базе методом ионной имплантаци...

 Способ изготовления четырехслойной полупроводниковой структуры, включающий введение легирующей примеси в кристалл кремния и последующий термический отжиг, отличающийся тем, что, с целью снижения температуры и длительности процесса формирования структуры при сохранении времени жизни неосновных носителей заряда, в качестве легирующей примеси используют натрий, который вводят в кристалл ионн...

 Способ получения глубоких p-n-переходов в кремнии p-типа, включающий имплантацию ионов натрия и последующий отжиг, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества p-n-переходов за счет повышения концентрации носителей заряда в приповерхностной области, имплантацию ионов натрия проводят 3-4 раза дозой 50-100 мкКл/см2, а отжиг после каждой имплантации проводят при 650-750oС в течение 25-6...

 Использование: в качестве устройств для обучения и работы диспетчеров в авиации и космонавтике, а также для работы операторов специализированных персональных компьютеров. Сущность изобретения: регулируемый стол содержит корпус, столешницу, соединенную торцевыми сторонами с механизмом перемещения и фиксации, который выполнен в виде двух барабанов на общем валу. Вал связан с одной стороны с...