Способ получения глубоких p-n-переходов в кремнии p-типа
Патент 1245162
Авторы
Классы МПК
Способ получения глубоких p-n-переходов в кремнии p-типа
Реферат
Способ получения глубоких p-n-переходов в кремнии p-типа, включающий имплантацию ионов натрия и последующий отжиг, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества p-n-переходов за счет повышения концентрации носителей заряда в приповерхностной области, имплантацию ионов натрия проводят 3-4 раза дозой 50-100 мкКл/см2, а отжиг после каждой имплантации проводят при 650-750oС в течение 25-6 мин соответственно.