Вихрев Б.И.
Изобретатель Вихрев Б.И. является автором следующих патентов:
Способ создания фоточувствительных элементов на антимониде индия
Способ создания фоточувствительных элементов, на антимониде индия p-типа проводимости, включающий операции фотолитографии, нанесения диэлектрических покрытий, облучения протонами для создания p-n-переходов, нанесения контактов к элементам на кристалле, присоединения кристаллов к основанию корпуса, отличающийся тем, что, с целью избежания деградации параметров p-n-переходов во время технол...
915684