Способ формирования ионно-легированных слоев в полупроводниковых материалах

Способ формирования ионно-легированных слоев в полупроводниковых материалах

Реферат

Способ формирования ионно-легированных слоев в полупроводниковых материалах, включающий имплантацию ионов в полупроводниковый материал с одновременным его облучением потоком фотонов и последующий отжиг, отличающийся тем, что, с целью улучшения параметров ионно-легированных слоев, облучение проводят при энергии фотонов 1,1 - 8,0 Eg, где Eg - ширина запрещенной зоны полупроводникового материала, и плотности мощности потока 0,01 - 10 Вт/см².