PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Итальянцев А.Г.

Изобретатель Итальянцев А.Г. является автором следующих патентов:

Способ экстракции ростовых кластеров в монокристаллическом кремнии

Способ экстракции ростовых кластеров в монокристаллическом кремнии

 (19)SU(11)1083848(13)A1(51)  МПК 5    H01L21/322(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 27.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ЭКСТРАКЦИИ РОСТОВЫХ КЛАСТЕРОВ В МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОМ КРЕМНИИ Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для улучшения совершенства структуры монокристалличес...

1083848

Способ изготовления приборных структур на основе монокристаллического арсенида галлия

Способ изготовления приборных структур на основе монокристаллического арсенида галлия

 1. Способ изготовления приборных структур на основе монокристаллического арсенида галлия, включающий формирование локальных ионнолегированных областей в арсениде галлия, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных структур путем повышения кристаллического совершенства и снятия упругих напряжений в арсениде галлия, перед формированием локальных легированных областей ра...

1369593

Способ изготовления приборных структур на основе монокристаллического арсенида галлия

Способ изготовления приборных структур на основе монокристаллического арсенида галлия

 Способ изготовления приборных структур на основе монокристаллического арсенида галлия, включающий высокотемпературное полирующее газовое травление рабочей поверхности арсенида галлия ориентации <100> при 650 - 950oC со скоростью 0,02 - 30 мкм/мин на глубину 0,5 - 25 мкм в газовой смеси Ga-AsCl3-H2, ионную имплантацию атомов элемента IV группы периодической системы элементов, последу...

1424630

Способ формирования ионно-легированных слоев в полупроводниковых материалах

Способ формирования ионно-легированных слоев в полупроводниковых материалах

 Способ формирования ионно-легированных слоев в полупроводниковых материалах, включающий имплантацию ионов в полупроводниковый материал с одновременным его облучением потоком фотонов и последующий отжиг, отличающийся тем, что, с целью улучшения параметров ионно-легированных слоев, облучение проводят при энергии фотонов 1,1 - 8,0 Eg, где Eg - ширина запрещенной зоны полупроводникового матер...

1473611

Устройство и способ измерения геометрических размеров и коробления пластин

Устройство и способ измерения геометрических размеров и коробления пластин

 Изобретение относится к измерительной технике, в частности к измерению линейных размеров, и может быть использовано при контроле пластин, в частности, полупроводниковых. Сущность изобретения: устройство содержит держатель исследуемой пластины, установленный на сканирующей системе, по обе стороны от исследуемой пластины на одной оси расположены по одному рабочему датчику, измеряющему велич...

2097746


Устройство для измерения толщины плоского изделия и способ его реализации

Устройство для измерения толщины плоского изделия и способ его реализации

 Назначение: изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских объектов, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий или пленок, в том числе полупроводниковых пластин и металлических и диэлектрических листов. Сущность изобретения: измеряют информационный сигнал, пропорциональный изменению емкости датчи...

2107257

Устройство и способ измерения поверхностного сопротивления полупроводниковых пластин

Устройство и способ измерения поверхностного сопротивления полупроводниковых пластин

 Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин. Устройство содержит индукционный датчик, рамку-держатель с одним или несколькими контрольными образцами и блок измерений. Процедура измерения вклю...

2121732