Итальянцев А.Г.

 (19)SU(11)1083848(13)A1(51)  МПК 5    H01L21/322(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 27.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ЭКСТРАКЦИИ РОСТОВЫХ КЛАСТЕРОВ В МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОМ КРЕМНИИ Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для улучшения совершенства структуры монокристалличес...

 1. Способ изготовления приборных структур на основе монокристаллического арсенида галлия, включающий формирование локальных ионнолегированных областей в арсениде галлия, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных структур путем повышения кристаллического совершенства и снятия упругих напряжений в арсениде галлия, перед формированием локальных легированных областей ра...

 Способ изготовления приборных структур на основе монокристаллического арсенида галлия, включающий высокотемпературное полирующее газовое травление рабочей поверхности арсенида галлия ориентации <100> при 650 - 950oC со скоростью 0,02 - 30 мкм/мин на глубину 0,5 - 25 мкм в газовой смеси Ga-AsCl3-H2, ионную имплантацию атомов элемента IV группы периодической системы элементов, последу...

 Способ формирования ионно-легированных слоев в полупроводниковых материалах, включающий имплантацию ионов в полупроводниковый материал с одновременным его облучением потоком фотонов и последующий отжиг, отличающийся тем, что, с целью улучшения параметров ионно-легированных слоев, облучение проводят при энергии фотонов 1,1 - 8,0 Eg, где Eg - ширина запрещенной зоны полупроводникового матер...

 Изобретение относится к измерительной технике, в частности к измерению линейных размеров, и может быть использовано при контроле пластин, в частности, полупроводниковых. Сущность изобретения: устройство содержит держатель исследуемой пластины, установленный на сканирующей системе, по обе стороны от исследуемой пластины на одной оси расположены по одному рабочему датчику, измеряющему велич...

 Назначение: изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских объектов, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий или пленок, в том числе полупроводниковых пластин и металлических и диэлектрических листов. Сущность изобретения: измеряют информационный сигнал, пропорциональный изменению емкости датчи...

 Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин. Устройство содержит индукционный датчик, рамку-держатель с одним или несколькими контрольными образцами и блок измерений. Процедура измерения вклю...