Способ изготовления приборных структур на основе монокристаллического арсенида галлия

Способ изготовления приборных структур на основе монокристаллического арсенида галлия

Реферат

Способ изготовления приборных структур на основе монокристаллического арсенида галлия, включающий высокотемпературное полирующее газовое травление рабочей поверхности арсенида галлия ориентации <100> при 650 - 950^oC со скоростью 0,02 - 30 мкм/мин на глубину 0,5 - 25 мкм в газовой смеси Ga-AsCl₃-H₂, ионную имплантацию атомов элемента IV группы периодической системы элементов, последующий отжиг в атмосфере водорода и паров мышьяка при температуре не менее 800^oC в течение времени не менее 10 мин, отличающийся тем, что, с целью улучшения параметров приборных структур за счет улучшения электрофизических и структурных свойств ионолегированных слоев, перед проведением ионной имплантации рабочую поверхность арсенида галлия обрабатывают в течение 1 - 10 мин при 20 - 70^oC в 20 - 36%-ном водном растворе соляной кислоты, причем раствор подвергают вибрации с ультразвуковой частотой.