Пащенко П.Б.

 Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к технологии полупроводниковых соединений. Цель улучшение качества эпитаксиальных структур за счет уменьшения величины переходного слоя. Данным способом проводят эпитаксиальное заращивание углублений в подложке GaAs. На подложку наносят маскирующее покрытие с "окнами" под углубления. Производят локальное травление углублений в...

 1. Способ изготовления приборных структур на основе монокристаллического арсенида галлия, включающий формирование локальных ионнолегированных областей в арсениде галлия, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных структур путем повышения кристаллического совершенства и снятия упругих напряжений в арсениде галлия, перед формированием локальных легированных областей ра...

 Изобретение относится к технологии изготовления локальных эпитаксиальных структур фосфида индия и может быть использовано для создания полевых транзисторов, диодов и т.д. Цель изобретения - улучшение качества эпитаксиальных структур за счет устранения высокоомного слоя в переходной области подложка - эпитаксиальный слой. На поверхности полупроводника путем химического травления через маск...

 Способ изготовления приборных структур на основе монокристаллического арсенида галлия, включающий высокотемпературное полирующее газовое травление рабочей поверхности арсенида галлия ориентации <100> при 650 - 950oC со скоростью 0,02 - 30 мкм/мин на глубину 0,5 - 25 мкм в газовой смеси Ga-AsCl3-H2, ионную имплантацию атомов элемента IV группы периодической системы элементов, последу...

 Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к получению поверхностей арсенида галлия без углеродсодержащих загрязнений. Цель изобретения - улучшение качества поверхности арсенида галлия за счет снижения уровня углеродных загрязнений. В способе после химико-механической полировки в течение времени не более 10 мин проводят химическую обработку в растворе перекиси водорода. П...

 Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к технологии изготовления мощных полупроводниковых приборов на основе кремния. Цель - повышение выхода годных и улучшение электрических характеристик приборов за счет повышения сплошности соединения кремниевых подложек в двухслойной полупроводниковой структуре. Для этого при изготовлении полупроводниковых приборов создают двух...

 Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при разработке технологии производства полупроводниковых приборов. Цель изобретения - увеличение срока консервации уровня углеродосодержащих загрязнений. В данном способе пластины арсенида галлия очищают от углеродосодержащих загрязнений и обрабатывают в концентрированной перекиси водорода не менее 5 мин. Затем по...

 Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано в процессах молекулярно-лучевой эпитаксии. Цель изобретения - повышение качеств поверхности пластин арсенида галлия за счет снижения уровня углеродных загрязнений. В данном способе проводят обработку в травителе, содержащем, мас.ч.: водный аммиак (25%)-1; перекись водорода (30%) 1,5 - 2,18; вода 5,45 - 1,09. Дл...