Способ изготовления приборных структур на основе монокристаллического арсенида галлия

Способ изготовления приборных структур на основе монокристаллического арсенида галлия

Реферат

 

1. Способ изготовления приборных структур на основе монокристаллического арсенида галлия, включающий формирование локальных ионнолегированных областей в арсениде галлия, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных структур путем повышения кристаллического совершенства и снятия упругих напряжений в арсениде галлия, перед формированием локальных легированных областей рабочую поверхность арсенида галлия подвергают высокотемпературному полирующему газовому травлению при 650-950^oC на глубину 0,5-25 мкм со скоростью 0,02-30 мкм/мин.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что при формировании легированных областей в пленке арсенида галлия толщину пленки при эпитаксиальном наращивании увеличивают на 0,5-25 мкм относительно заданной.