Вяткин А.Ф.

 1. Способ изготовления приборных структур на основе монокристаллического арсенида галлия, включающий формирование локальных ионнолегированных областей в арсениде галлия, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных структур путем повышения кристаллического совершенства и снятия упругих напряжений в арсениде галлия, перед формированием локальных легированных областей ра...

 1. Способ изготовления многослойных структур, включающий создание в кремниевой подложке скрытого диэлектрика путем внедрения ионов кислорода с последующим отжигом, отличающийся тем, что, с целью повышения качества структур, в подложку дополнительно внедряют ионы азота при соотношении атомов внедренного кислорода и азота в пределах 0,5-2,5 и суммарной объемной концентрации внедренных атомо...

 Источник ускоренных нейтральных частиц, содержащий разрядную камеру с системой извлечения ионов, включающей выходной электрод с отверстиями, камеру нейтрализации, герметично соединенную с выходным торцом разрядной камеры, и устройство для сепарации заряженных и нейтральных частиц, отличающийся тем, что, с целью увеличения степени однородности распределения плотности тока нейтральных части...

 Изобретение относится к получению ионных пучков и может быть использовано в ускорительной технике, масс-спектрометрии и т.п. Способ включает нагрев двух солей металла, а именно галогенидов, карбонатов или нитратов, до температуры испарения в вакууме, подведение полученных паров по трубке к нагретой до температуры ионизации щелочного металла поверхности вольфрамого ионизатора. При этом соо...

 Изобретение относится к области электронной техники. Предложен полупроводниковый инжекционный лазер с р-n переходом, содержащий монокристаллический полупроводниковый вырожденный n+ типа слой, монокристаллический полупроводниковый n типа слой, монокристаллический полупроводниковый р типа слой, металлический контакт n типа слоя и металлический контакт р типа слоя. Согласно первому варианту...