Копецкий Ч.В.

 Микромостик переменной толщины, выполненный в виде двух электродов, соединенных перешейком, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения с одновременным увеличением срока службы за счет увеличения максимальной силы тока, протекающего по микромостику, микромостик выполнен из металлического монокристалла с длиной свободного пробега электронов при гелиевых температурах 0,1 -...

 Низкотемпературный диод на основе бикристалла, отличающийся тем, что, с целью упрощения конструкции и уменьшения потерь жидкого гелия, в качестве бикристалла использован металлический бикристалл с длиной свободного пробега электронов при гелиевых температурах порядка 1 мм, выполненный в виде микромостика с двумя массивными электродами, соединенными перешейком, длина которого меньше длины...

 1. Способ изготовления приборных структур на основе монокристаллического арсенида галлия, включающий формирование локальных ионнолегированных областей в арсениде галлия, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных структур путем повышения кристаллического совершенства и снятия упругих напряжений в арсениде галлия, перед формированием локальных легированных областей ра...

 Способ получения твердых растворов на основе галогенидов таллия, включающий загрузку исходных компонентов, содержащих галогениды металлов твердого раствора, их нагрев до температуры выше температуры плавления получаемого твердого раствора и направленную кристаллизацию, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности процесса и его упрощения, в качестве исходных компонентов исп...

 1. Способ изготовления многослойных структур, включающий создание в кремниевой подложке скрытого диэлектрика путем внедрения ионов кислорода с последующим отжигом, отличающийся тем, что, с целью повышения качества структур, в подложку дополнительно внедряют ионы азота при соотношении атомов внедренного кислорода и азота в пределах 0,5-2,5 и суммарной объемной концентрации внедренных атомо...

 Механизм передачи вращения в герметизированный объем, содержащий ведущее звено в виде пустотелого поворотного штока, размещенное в полости штока соосно ему и с возможностью осевого перемещения ведомое звено в виде прямолинейного стержня, кинематически связанного со штоком, жестко связанный со стержнем ограничитель его осевых перемещений, фиксатор радиального положения стержня и привод вра...

 Материал для вертикальной магнитной записи, содержащий кобальт и добавки из немагнитного материала, отличающийся тем, что, с целью повышения фактора качества материала за счет выделения карбида металла по границам зерен, он дополнительно содержит углерод при следующем соотношении компонентов, ат.%: Углерод - 0,05 - 5 Немагнитный металл - 5 - 25 Кобальт - Остальное

 Способ обработки изделий из сталей преимущественно углеродистых, включающий закалку поверхности лучом лазера и обкатку телом вращения, к которому приложено усилие, отличающийся тем, что, с целью повышения износостойкости путем увеличения толщины аморфного слоя, обкатку осуществляют с проскальзыванием на 10-20%.

 Стекло, прозрачное в ИК-области спектра, включающее иодид серебра и галогенид цезия, отличающееся тем, что, с целью расширения его области прозрачности в более длинноволновый ИК-диапазон и увеличения стабильности, оно дополнительно содержит бромид серебра при следующем соотношении компонентов в молярных долях: Иодид серебра - 0,1 - 0,6 Галогенид цезия - 0,2 - 0,6 Бромид серебра - 0,1 - 0,...

 Способ галоидирования легкоплавких металлов обработкой жидкого металла при нагревании твердым галогенидом аммония, расположенным под слоем металла, отличающийся тем, что, с целью ускорения процесса, галоидирование ведут смесью галогенида и нитрата аммония при содержании последнего в смеси 7 - 33 мол.%.

 1. Способ пассивации электрически активных центров в кремнии и арсениде галлия, включающий проведение диффузии атомарного водорода ил тлеющего разряда в кремний или арсенид галлия, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и воспроизводимости пассивации по глубине полупроводника, диффузию атомарного водорода проводят путем выдержки кремния или арсенида галлия при температуре 500 -...

 Способ получения молибдена особой чистоты, включающий сорбцию примесей из раствора молибдата аммония с получением очищенного раствора, упаривание полученного раствора с получением сухого молибденсодержащего остатка, термообработку остатка в атмосфере кислорода с получением оксида молибдена, восстановление его водородом до металла и последующую перекристаллизацию металла, отличающийся тем,...

 Сандвич-структура, выполненная в виде двух проводников, разделенных диэлектрическим слоем и соединяющихся через расположенные в диэлектрическом слое проводящие микрозакоротки, отличающаяся тем, что, с целью уменьшения тепловыделения и улучшения теплоотвода, в качестве одного из проводников использован металлический кристалл с длиной свободного пробега электронов при гелиевых температурах...

 Баллистический транзистор, содержащий последовательно расположенные эмиттер, металлическую базу, коллектор и затвор, расположенный между эмиттером и коллектором, отличающийся тем, что, с целью снижения рабочих напряжений, база выполнена из сверхчистого металлического кристалла, эмиттер и коллектор выполнены в виде микроконтактов к базе, а затвор - в виде проводящей микрошины, расположенно...

 1. Способ осаждения слоев тугоплавких металлов, включающий гетерогенное активированное плазмой восстановление водородом летучих галогенидов металлов на подложке, отличающийся тем, что, с целью повышения качества слоев при снижении температуры подложки, плазму пространственно отделяют от подложки, для активации водорода используют плазму СВЧ-разряда в условиях электронного циклотронного ре...