Способ пассивации электрически активных центров в кремнии и арсениде галлия

Способ пассивации электрически активных центров в кремнии и арсениде галлия

Реферат

 

1. Способ пассивации электрически активных центров в кремнии и арсениде галлия, включающий проведение диффузии атомарного водорода ил тлеющего разряда в кремний или арсенид галлия, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и воспроизводимости пассивации по глубине полупроводника, диффузию атомарного водорода проводят путем выдержки кремния или арсенида галлия при температуре 500 - 670^oС соответственно в течение времени, определяемого из формулы где N_x - концентрация водорода в полупроводнике на глубине x, ат см^-3; N_n - концентрация водорода на поверхности образца, ат см^-3; D_н - коэффициент диффузии водорода при используемой температуре обработки; t - время обработки, с, с последующим охлаждением со скоростью 1 - 50 град/с до температуры 100^oС.

2. Способ по п.1, отличающаяся тем, что, с целью повышения локальности пассивации, на поверхности кремния или арсенида галлия размещают шаблон, форма которого соответствует форме подлежащих пассивации областей, выполненный из материала, аккумулирующего водород.