Мордкович В.Н.

 Прибор с зарядовой связью, содержащий полупроводниковую подложку, на лицевой стороне которой сформированы сдвиговые регистры и выходное устройство, а на тыльной размещены светочувствительные элементы, отличающийся тем, что, с целью повышения светочувствительности и разрешающей способности, светочувствительные элементы выполнены в виде структуры прозрачный металл - диэлектрик - полупроводн...

 Фотоэлектрический преобразователь, выполненный на полупроводниковой подложке, содержащий считывающий регистр на приборах с зарядовой связью и средство для фотоинжекции носителей заряда под электроды переноса, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона спектральной чувствительности, средство для фотоинжекции выполнено из двух легированных областей, тип проводимости которых противо...

 1. Прибор с зарядовой связью, включающий полупроводниковую подложку, диэлектрический слой и размещенные на его поверхности затворы переноса из поликристаллического кремния, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности в коротковолновой области спектра, поверх затворов переноса сформирован слой люминофора. 2. Прибор по п.1, отличающийся тем, что толщина слоя люминофора l равна...

 (19)SU(11)1083848(13)A1(51)  МПК 5    H01L21/322(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 27.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ЭКСТРАКЦИИ РОСТОВЫХ КЛАСТЕРОВ В МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОМ КРЕМНИИ Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для улучшения совершенства структуры монокристалличес...

 1. Способ изготовления приборных структур на основе монокристаллического арсенида галлия, включающий формирование локальных ионнолегированных областей в арсениде галлия, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных структур путем повышения кристаллического совершенства и снятия упругих напряжений в арсениде галлия, перед формированием локальных легированных областей ра...

 1. Способ изготовления многослойных структур, включающий создание в кремниевой подложке скрытого диэлектрика путем внедрения ионов кислорода с последующим отжигом, отличающийся тем, что, с целью повышения качества структур, в подложку дополнительно внедряют ионы азота при соотношении атомов внедренного кислорода и азота в пределах 0,5-2,5 и суммарной объемной концентрации внедренных атомо...

 Способ изготовления многослойных структур, включающий создание в кремниевой подложке скрытого слоя изолятора методом ионной имплантации с последующим отжигом, отличающийся тем, что, с целью улучшения структурных и электрических параметров, имплантацию проводят последовательно ионами углерода дозой 0,8 - 31016 см-2, а затем ионами инертных газов дозой 1,75 - 2,5 х 1014 ехр/79(Ми - 2,3) см-...

 Способ формирования ионно-легированных слоев в полупроводниковых материалах, включающий имплантацию ионов в полупроводниковый материал с одновременным его облучением потоком фотонов и последующий отжиг, отличающийся тем, что, с целью улучшения параметров ионно-легированных слоев, облучение проводят при энергии фотонов 1,1 - 8,0 Eg, где Eg - ширина запрещенной зоны полупроводникового матер...

 Способ изготовления многослойных кремниевых структур, включающий создание в подложке скрытого слоя диэлектрика путем ионной имплантации азота и последующего отжига, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности способа при одновременном улучшении качества структур путем уменьшения дефектности приповерхностного слоя кремниевой подложки, процесс проводят повторяющимися циклами...

 Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к технологии изготовления мощных полупроводниковых приборов на основе кремния. Цель - повышение выхода годных и улучшение электрических характеристик приборов за счет повышения сплошности соединения кремниевых подложек в двухслойной полупроводниковой структуре. Для этого при изготовлении полупроводниковых приборов создают двух...

 Способ изготовления многослойных кремниевых структур, включающий создание в кремниевой подложке скрытого слоя диэлектрика на основе нитрида кремния с помощью повторяющихся циклов имплантации лицевой стороны подложки ионами азота - отжиг, отличающийся тем, что, с целью уменьшения толщины слоя диэлектрика при сохранении его изолирующих свойств, дополнительно проводят в каждом цикле перед от...

 Способ изготовления кремниевых многослойных структур, включающий создание в кремниевой подложке скрытого слоя диэлектрика на основе нитрида кремния с помощью повторяющихся циклов имплантаций азота и отжига с дозой в цикле (1 - 10) 1016 см-2 и суммарной дозой (2 - 6)1017 см-2, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических свойств слоя кремния на диэлектрике за счет увеличения...

  Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к технологии изготовления эпитаксиальных структур и полупроводниковых приборов. Цель изобретения - улучшение качества эпитаксиальных структур за счет повышения однородности распределения легирующей примеси в эпитаксиальном слое и уменьшения в нем плотности дефектов кристаллической решетки. Из слитка монокристаллического кремн...

 Использование: микроэлектроника, магнитоуправляемые интегральные схемы, ячейки памяти. Сущность изобретения: магнитоуправляемая логическая ячейка содержит полупроводниковую подложку первого типа проводимости, восемь легированных областей второго типа проводимости, попарно образующих стоковые и истоковые области четырех полевых транзисторов, диэлектрическую пленку на поверхности подложки с...

 Использование: микроэлектроника. Сущность изобретения: полевой транзистор типа металл - диэлектрик-полупроводник содержит диэлектрическую подложку, на поверхности которой расположены области истока и стока, снабженные электродами и выполненные из материала с металлической проводимостью, полупроводниковую подзатворную область, размещенную между областями истока и стока, слой подзатворного...

 Использование: микроэлектроника. Сущность изобретения: интегральная транзисторная MOS структура содержит на полупроводниковой подложке первого типа проводимости диэлектрический слой, на котором расположены истоковые и стоковые области первого типа проводимости, разделенные подзатворной областью второго типа проводимости, перекрытой областью подзатворного диэлектрика с расположенным на нем...