Способ изготовления кремниевых многослойных структур
Патент 1597027
Авторы
Классы МПК
Способ изготовления кремниевых многослойных структур
Реферат
Способ изготовления кремниевых многослойных структур, включающий создание в кремниевой подложке скрытого слоя диэлектрика на основе нитрида кремния с помощью повторяющихся циклов имплантаций азота и отжига с дозой в цикле (1 - 10) 1016 см-2 и суммарной дозой (2 - 6)1017 см-2, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических свойств слоя кремния на диэлектрике за счет увеличения глубины его залегания, температуру подложки при имплантации поддерживают в интервале 200 - 450oC.