Способ изготовления многослойных кремниевых структур
Патент 1499609
Авторы
Классы МПК
Способ изготовления многослойных кремниевых структур
Реферат
Способ изготовления многослойных кремниевых структур, включающий создание в подложке скрытого слоя диэлектрика путем ионной имплантации азота и последующего отжига, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности способа при одновременном улучшении качества структур путем уменьшения дефектности приповерхностного слоя кремниевой подложки, процесс проводят повторяющимися циклами имплантация - отжиг, при этом цикл по дозе имплантации составляет 1 - 10 х 1016 см-2, а суммарная доза 2 - 6 х 1017 см-2.