Способ изготовления многослойных структур

Способ изготовления многослойных структур

Реферат

Способ изготовления многослойных структур, включающий создание в кремниевой подложке скрытого слоя изолятора методом ионной имплантации с последующим отжигом, отличающийся тем, что, с целью улучшения структурных и электрических параметров, имплантацию проводят последовательно ионами углерода дозой 0,8 - 310¹⁶ см^-2, а затем ионами инертных газов дозой 1,75 - 2,5 х 10¹⁴ ехр/79(Ми - 2,3) см^-2, где Ми - масса иона инертного газа, при этом соотношение энергий ионов углерода и ионов инертного газа выбирают из условия, что отношение среднепроецированных пробегов ионов углерода и инертного газа лежит в интервале 0,7 - 0,9.