Способ обработки ионных кристаллов

Способ обработки ионных кристаллов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советскик

Сециалистическик

Республик

{11) 557699 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 1201.76 (21) 2313734/25 с присоединением заявки М (23) Приоритет (51) М. Кл.

Н 01 т. 21/26

9 21 & 1/06

fIOfNPOTOIINI IOIlfOf

Вавета Мнивтрев CGCP ро IoII1 мзОбд4тэиии а еттрмтиВ (63) УДК 621. 039. 554 (088.8) (43) Опубликовано 050378.Бюллетень ЛЬ 9 (45) Дата опубликования (72) Авторы изобретения

A.A. Воробьев, К.П. Ар и в.п.

Научно-исследовательский институт ядерной физики, электроники и автоматики при Томском ордена Октябрьской

Революции и ордена Трудового Красного Знамени политехническом институте им. С.М. Кирова

{7l) Заявитель (54) СПОСОБ ОБРАБОТКИ ИОННЫХ КРИСТАЛЛОВ

Изобретение относится к области ядерного приборостроения.

Известны способы повышения радиационной стойкости кристаллических тел путеМ введения в кристалл дополнительных элементов (1), а также путем облучения тела электронами или другими ионизирующими частицами и одновременного нагревания тела(2J. Эти способы применимы для обработки полупроводниковых материалов.

Известен способ обработки ионных кристаллов путем облучения потоком позитронов, в результате которого проводится позиционный отжиг дефектов (3) .

Этот способ не использовался для повышения радиационной стойкости ионных кристаллов в полях, содержащих нейтронную компоненту.

Цель изобретения — повышение стойкости ионных кристаллов к нейтронному облучению.

Це ть достигается тем, что на кристалл наносят покрытие из материала, взаимодействующего с нейтронами с образованием радиоактивного изотопайсточника позитронов, например из меди. Толщина медного покрытия составляет от 100 до 200 мкм.

Г

Способ реализуют следующим образом.

До помещения ионного кристалла в ридационное поле, содержащее нейтрон5 ную компоненту, на его поверхность наносится медное покрытие. Медное гокрытие можно осуществить наложением или наклеиванием медной фольги толщи ной 100-200 мкм.

10 В результате активации образца в поле излучения, содержащего нейтронную компоненту, медное покрытие становится позитронным источником, содержащим изотоп Cu " с периодом

16 полураспада 12,88 ч. В процессе воздействия изотопа С на ионный кристалл происходит позитронный отжиг дефектов,что приводит к повышению общей радиационной устойчивости образца.

Ю Толщина медного покрытия выбиралась из следующих соображений: в случае толстых покрытий наружные слои медного покрытия экранируют внутренние, а в случае очень тонких медных

25 пластинок (меньше 100 мкм) оказывается весьма незначительным активированный слоя. Поэтому наиболее оптимальная толщина медного покрытия состав30 . ляет 100-200мкм исходя из рассчитанI ных величин среднего пробега поэитро- .

557699

Формула изобретения

Составитель К. Кононов

Редактор Т. Орловская Техред М.Келемеш Корректор Н. Ковалева

Заказ 950/8 Тираж 960, . Подписное

ЦИИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035 Москва Ж-35 Раушская наб.z д. 4j5

Филиал ППП Патент, r. Ужгород., ул. Проектная, 4 нов бетаспектра è в медной пласти-, не.

1. Способ обработки ионных кристаллов, заключающийся в облучении ионного кристалла потоком позитронов, отличающийся тем, .что, с целью повыаения стойкости к нейтронному облучению, на кристалл наносят покрытие из материала, взаимодействующего с нейтронами с образованием радиоактивного изотопа — источника позитронов, например из меди..

2. Способ по п.1, о т л и ч а юшийся тем, что наносят медное покрытие толщиной от 100 до 200 мкм.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1. Патент США Р 3799813, кл. 148-1.5 1974.

2. Патент Великобритании

М 1310449, кл. Н 1 К, 1973.

3. К.P. Л е ;еФ, S.h. Чог оЬ ю, Р цв. lett,ì.

44 а, 1973. М 6, р. 439.