Способ изготовления силовых полупроводниковых приборов
Патент 1618211
Авторы
Классы МПК
Способ изготовления силовых полупроводниковых приборов
Реферат
Способ изготовления силовых полупроводниковых приборов, включающий облучение полупроводниковых структур через защитные маски дефектообразующим излучением до максимальной концентрации дефектов в базовой области 1011-1013 см-3, отличающийся тем, что, с целью улучшения статических и динамических характеристик приборов, облучение проводят электронами -распада от изотопного источника Sr90.