PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Ныгес М.Т.

Изобретатель Ныгес М.Т. является автором следующих патентов:

Способ изготовления силовых полупроводниковых приборов

Способ изготовления силовых полупроводниковых приборов

 Способ изготовления силовых полупроводниковых приборов, включающий облучение полупроводниковых структур через защитные маски дефектообразующим излучением до максимальной концентрации дефектов в базовой области 1011-1013 см-3, отличающийся тем, что, с целью улучшения статических и динамических характеристик приборов, облучение проводят электронами -распада от изотопного источника Sr90.

1618211