Асина С.С.

 1. Силовой полупроводниковый прибор с полевым управлением, например тиристор, содержащий не менее двух ячеек, каждая из которых включает базу с участками различного удельного сопротивления, p+ - анод и n+ - катод, окруженный p+ - затвором, отличающийся тем, что, с целью увеличения активной площади прибора с полевым управлением при сохранении высоких значений коэффициента запирания и быстр...

 Силовой быстровосстанавливающийся диод, содержащий в базовой области рекомбинационную примесь, концентрация которой уменьшается от эмиттера вглубь базы, отличающийся тем, что, с целью уменьшения коммутационного перенапряжения и обратного тока утечки при сохранении нагрузочных характеристик в проводящем состоянии, в качестве рекомбинационной примеси вводят платину, распределение концентрац...

 Способ изготовления быстродействующих мощных тиристоров, включающий облучение тиристорных структур, выполненных из бестигельного кремния, электронами с последующим термоотжигом, отличающийся тем, что, с целью оптимизации параметров тиристоров, облучение проводят дозой (4 - 10) 1014 см-2 и термоотжиг проводят при температуре 425 - 440oC в течение 2 - 3 ч.

 1. Силовой быстровосстанавливающийся диод, выполненный на основе полупроводниковой p-n-структуры, содержащей рекомбинационные центры, отличающийся тем, что, с целью снижения коммутационных перегрузок по напряжению, p-n-структура содержит два типа областей с различным содержанием рекомбинационных центров, соотношения площадей и концентраций в которых определены следующими соотношениями: г...

 Изобретение относится к полупроводниковому приборостроению. Цель изобретения - уменьшение падения напряжения в открытом состоянии и времени выключения при снижении энергии потерь и повышении стойкости di/dt при включении. Для этого в быстродействующем тиристоре с регенеративным управлением, включающем многослойную полупроводниковую структуру с боковой фаской, содержащую области вспомогате...

 Способ изготовления силовых быстровосстанавливающихся диодов, включающий облучение диодных структур ускоренными электронами с энергией 1 - 3 МэВ, дозой 5 1013 - 5 1014 см2 и последующий отжиг, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности труда, отжиг проводят в нестационарном режиме импульсом некогерентного света от галогенных ламп накаливания, причем нагрев проводят со с...

 Способ изготовления силовых полупроводниковых приборов, включающий облучение полупроводниковых структур через защитные маски дефектообразующим излучением до максимальной концентрации дефектов в базовой области 1011-1013 см-3, отличающийся тем, что, с целью улучшения статических и динамических характеристик приборов, облучение проводят электронами -распада от изотопного источника Sr90.

 Использование: в производстве мощных полукремниевых резисторов таблеточного исполнения. Сущность: резистивный элемент, выполненный в виде диска из монокристаллического кремния п-типа проводимости, содержит радиационные дефекты с концентрацией от 31012 см-3 для кремния с удельным сопротивлением o= 700 Омсм до 31013 см-3 для кремния с удельным сопротивлением o=150 Омсм. Дефекты в кремнии со...

 Использование: в производстве мощных кремниевых резисторов таблеточного исполнения, в частности высокотемпературных кремниевых резисторов. Техническим результатом изобретения является повышение максимально допустимой температуры мощного кремниевого резистора до 180oС при сохранении температурной характеристики сопротивления в пределах 10% и, как следствие, повышение его номинальной мощнос...

 Использование: в производстве мощных кремниевых резисторов и шунтов таблеточного исполнения, имеющих высокую температурную стабильность сопротивления в широком интервале рабочих температур. Техническим результатом изобретения является повышение максимально допустимой температуры мощного кремниевого резистора до 240oС при сохранении температурной характеристики сопротивления в пределах 10%...