Бромберг Б.В.

 Изобретение относится к полупроводниковому приборостроению. Цель изобретения - уменьшение падения напряжения в открытом состоянии и времени выключения при снижении энергии потерь и повышении стойкости di/dt при включении. Для этого в быстродействующем тиристоре с регенеративным управлением, включающем многослойную полупроводниковую структуру с боковой фаской, содержащую области вспомогате...

 Способ изготовления силовых полупроводниковых приборов, включающий облучение полупроводниковых структур через защитные маски дефектообразующим излучением до максимальной концентрации дефектов в базовой области 1011-1013 см-3, отличающийся тем, что, с целью улучшения статических и динамических характеристик приборов, облучение проводят электронами -распада от изотопного источника Sr90.