PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Шмелев В.В.

Изобретатель Шмелев В.В. является автором следующих патентов:

Тиристор, проводящий в обратном направлении

Тиристор, проводящий в обратном направлении

 Тиристор, проводящий в обратном направлении, полупроводниковая структура которого содержит первый эмиттерный слой, зашунтированный на отдельных участках с первым базовым слоем, однородно разветвленный управляющий электрод, контактирующий с первым базовым слоем, второй эмиттерный слой, зашунтированный с вторым базовым слоем, отличающийся тем, что, с целью повышения динамических параметров...

1085451

Полупроводниковый прибор

Полупроводниковый прибор

 Полупроводниковый прибор, содержащий последовательно соединенные неразъемным омическим контактом тиристорную и диодную структуры с боковыми конусными поверхностями, отличающийся тем, что, с целью повышения эксплуатационной надежности прибора и снижения затрат на его изготовление, соединение выполнено единственным общим армирующим термокомпенсаторным элементом, являющимся основанием для бо...

1162357

Силовой полупроводниковый прибор с прижимными контактами

Силовой полупроводниковый прибор с прижимными контактами

 Силовой полупроводниковый прибор с прижимными контактами и металлизированными контактными площадками к эмиттерным и базовым областям, отличающийся тем, что, с целью снижения электрических потерь во включенном состоянии и повышения выхода годных приборов, металлизация контактных площадок к эмиттерным областям выполнена из последовательно нанесенных слоев фосфорсодержащего никеля, гальванич...

1274560

Способ изготовления силового полупроводникового прибора

Способ изготовления силового полупроводникового прибора

  Изобретение относится к полупроводниковой электронике и предназначено для изготовления силовых полупроводниковых приборов. Цель изобретения - снижение трудоемкости изготовления и повышение процента выхода годных приборов. Способ включает следующие операции. В полупроводнике формируют дискретные эмиттерные участки, окруженные базовой областью. Формируют к эмиттерным участкам и базовой обл...

1519453

Быстродействующий тиристор с регенеративным управлением

Быстродействующий тиристор с регенеративным управлением

 Изобретение относится к полупроводниковому приборостроению. Цель изобретения - уменьшение падения напряжения в открытом состоянии и времени выключения при снижении энергии потерь и повышении стойкости di/dt при включении. Для этого в быстродействующем тиристоре с регенеративным управлением, включающем многослойную полупроводниковую структуру с боковой фаской, содержащую области вспомогате...

1574122


Способ изготовления силовых полупроводниковых приборов

Способ изготовления силовых полупроводниковых приборов

 Способ изготовления силовых полупроводниковых приборов, включающий формирование в полупроводниковой подложке базовой области, создание в базовой области дискретных областей эмиттерных элементов, формирование первого слоя металлизации на поверхности базовой области и областей эмиттерных элементов, выявление неработоспособных эмиттерных элементов, нанесение изолирующего покрытия, закреплени...

1616429

Силовой запираемый тиристор

Силовой запираемый тиристор

 Изобретение относится к силовым полупроводниковым приборам, к силовым запираемым тиристорам. Цель изобретения - повышение стойкости к высоким скоростям нарастания анодного тока при включении и повышение допустимого значения запираемого тока. Запираемый тиристор содержит полупроводниковую структуру со множеством радиальных полосковых эмиттеров 1, сгруппированных в несколько концентрических...

1616450

Способ изготовления силовых полупроводниковых приборов

Способ изготовления силовых полупроводниковых приборов

 Способ изготовления силовых полупроводниковых приборов, включающий облучение полупроводниковых структур через защитные маски дефектообразующим излучением до максимальной концентрации дефектов в базовой области 1011-1013 см-3, отличающийся тем, что, с целью улучшения статических и динамических характеристик приборов, облучение проводят электронами -распада от изотопного источника Sr90.

1618211

Силовой тиристор, проводящий в обратном направлении

Силовой тиристор, проводящий в обратном направлении

 Использование: микроэлектроника. Изобретение относится к конструкции интегрального силового полупроводникового прибора - тиристора, проводящего в обратном направлении. В силовом тиристоре, проводящем в обратном направлении и содержащем зоны основного тиристора и диода, которые образуют две смежные области полупроводниковой структуры прибора и разделены между собой по своим смежным граница...

2082259

Транспортное средство на динамической воздушной подушке

Транспортное средство на динамической воздушной подушке

 Использование: изобретение относится к судостроению и, в частности, касается конструирования судов и аппаратов-амфибий с динамическими принципами поддержания. Сущность изобретения заключается в том, что транспортное устройство на динамической воздушной подушке снабжено двумя пневмобаллонами, расположенными на концах крыльев параллельно его продольной оси, привод воздушных винтов, использу...

2087351


Транспортное средство на динамической воздушной подушке

Транспортное средство на динамической воздушной подушке

 Изобретение относится к судостроению и касается создания судов-экранопланов без руля высоты. Транспортное средство (ТС) имеет корпус, крыло с закрылками, ручку управления их поворотом, пневмобаллоны, установленные в нижней части скегов, пневмобаллон, установленный на нижней поверхности крыла и корпуса в диаметральной плоскости ТС, газонагнетатели (воздушные винты или турбовентиляторные дв...

2173644