Способ изготовления силовых полупроводниковых приборов

Способ изготовления силовых полупроводниковых приборов

Реферат

Способ изготовления силовых полупроводниковых приборов, включающий формирование в полупроводниковой подложке базовой области, создание в базовой области дискретных областей эмиттерных элементов, формирование первого слоя металлизации на поверхности базовой области и областей эмиттерных элементов, выявление неработоспособных эмиттерных элементов, нанесение изолирующего покрытия, закрепление на поверхности подложки с помощью магнитной кассеты маски с окнами над эмиттерными элементами и создание второго слоя металлизации путем напыления металла в окна маски, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных и снижение трудоемкости, изолирующее покрытие после выявления неработоспособных эмиттерных элементов наносят на всю поверхность подложки, после закрепления на поверхности подложки маски с окнами над эмиттерными элементами закрывают в ней окна над неработоспособными эмиттерными элементами экранами из магнитопроницаемого материала, а затем путем плазмохимического травления удаляют в открытых окнах маски изолирующее покрытие и напылением в них металла создают второй слой металлизации.