Дерменжи П.Г.

 Тиристор, проводящий в обратном направлении, полупроводниковая структура которого содержит первый эмиттерный слой, зашунтированный на отдельных участках с первым базовым слоем, однородно разветвленный управляющий электрод, контактирующий с первым базовым слоем, второй эмиттерный слой, зашунтированный с вторым базовым слоем, отличающийся тем, что, с целью повышения динамических параметров...

 Силовой быстровосстанавливающийся диод, содержащий в базовой области рекомбинационную примесь, концентрация которой уменьшается от эмиттера вглубь базы, отличающийся тем, что, с целью уменьшения коммутационного перенапряжения и обратного тока утечки при сохранении нагрузочных характеристик в проводящем состоянии, в качестве рекомбинационной примеси вводят платину, распределение концентрац...

 Полупроводниковый прибор, содержащий последовательно соединенные неразъемным омическим контактом тиристорную и диодную структуры с боковыми конусными поверхностями, отличающийся тем, что, с целью повышения эксплуатационной надежности прибора и снижения затрат на его изготовление, соединение выполнено единственным общим армирующим термокомпенсаторным элементом, являющимся основанием для бо...

 Силовой полупроводниковый прибор с прижимными контактами и металлизированными контактными площадками к эмиттерным и базовым областям, отличающийся тем, что, с целью снижения электрических потерь во включенном состоянии и повышения выхода годных приборов, металлизация контактных площадок к эмиттерным областям выполнена из последовательно нанесенных слоев фосфорсодержащего никеля, гальванич...

  Изобретение относится к полупроводниковой электронике и предназначено для изготовления силовых полупроводниковых приборов. Цель изобретения - снижение трудоемкости изготовления и повышение процента выхода годных приборов. Способ включает следующие операции. В полупроводнике формируют дискретные эмиттерные участки, окруженные базовой областью. Формируют к эмиттерным участкам и базовой обл...

 Способ изготовления силовых полупроводниковых приборов, включающий формирование в полупроводниковой подложке базовой области, создание в базовой области дискретных областей эмиттерных элементов, формирование первого слоя металлизации на поверхности базовой области и областей эмиттерных элементов, выявление неработоспособных эмиттерных элементов, нанесение изолирующего покрытия, закреплени...

 Изобретение относится к силовым полупроводниковым приборам, к силовым запираемым тиристорам. Цель изобретения - повышение стойкости к высоким скоростям нарастания анодного тока при включении и повышение допустимого значения запираемого тока. Запираемый тиристор содержит полупроводниковую структуру со множеством радиальных полосковых эмиттеров 1, сгруппированных в несколько концентрических...

 Использование: микроэлектроника. Изобретение относится к конструкции интегрального силового полупроводникового прибора - тиристора, проводящего в обратном направлении. В силовом тиристоре, проводящем в обратном направлении и содержащем зоны основного тиристора и диода, которые образуют две смежные области полупроводниковой структуры прибора и разделены между собой по своим смежным граница...

 Использование: микроэлектроника, полупроводниковые приборы - симметричные тиристоры (ТС), представляющие собой интегральный прибор, состоящий из двух встречно-параллельно включенных тиристоров с общим управляющим электродом. Сущность изобретения: ТС включает в себя средний базовый n-слой, первый р-слой, который прилегает к среднему базовому n-слою сверху и содержит эмиттерный, управляющий...