Кузьмин В.Л.
Изобретатель Кузьмин В.Л. является автором следующих патентов:
![Паровозная коловратная машина Паровозная коловратная машина](https://img.patentdb.ru/i/200x200/1c2eb3a11e78a2de414de89257be1c17.jpg)
Паровозная коловратная машина
Клас: 14 а, 1 ABTQP1 H0E СВИДЕТЕЛЬСТВО НА ИЗОБРЕТЕНИЕ ОПИСАНИЕ паровозной коловратной машины. К авторскому свидетельству В. Л. Нузыина, заявленному 18 января 1932 года (спр. о перв. ¹ 101698). 0 выдаче авторского свидетельства опубликовано 31 января 1934 года. (480) Изобретение относится к коловратным машинам с эксцентричным вращающимся барабаном и диаметрально проходящей в эт...
34242![Тиристор Тиристор](/img/empty.gif)
Тиристор
1. ТИРИСТОР, содержащий вспомогательный n-эмиттер, расположенный в центре структуры вокруг управляющего электрода, снабженный выступами, приближенными по радиусу к управляющему электроду, основной эмиттер, охватывающий вспомогательный эмиттер и отделенный от него p- базовым слоем, отличающийся тем, что с целью повышения допустимой величины скорости нарастания анодного тока и повышения раб...
908198![Тиристор Тиристор](/img/empty.gif)
Тиристор
Тиристор, выполненный на основе n-р-n-р- структуры с шунтами р-типа в n-эмиттере и с концентрацией акцепторной примеси в р-базе под n-эмиттером по всей площади на расстоянии 3 - 8 мкм, не превышающей 5 1015 см-3, отличающийся тем, что, с целью повышения динамических и частотных параметров, повышения напряжения и предельного тока при сохранении малых значений прямых падений напряжений, в...
1026610![Способ изготовления выпрямительных элементов Способ изготовления выпрямительных элементов](/img/empty.gif)
Способ изготовления выпрямительных элементов
Способ изготовления выпрямительных элементов силовых полупроводниковых приборов, включающий операции шлифовки и химической очистки пластин кремния, изготовления высоковольтных p-n-переходов и создания омических контактов методом диффузионной сварки, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных приборов, после изготовления высоковольтных p-n-переходов с обеих сторон пла...
1082233![Силовой быстровосстанавливающийся диод Силовой быстровосстанавливающийся диод](/img/empty.gif)
Силовой быстровосстанавливающийся диод
Силовой быстровосстанавливающийся диод, содержащий в базовой области рекомбинационную примесь, концентрация которой уменьшается от эмиттера вглубь базы, отличающийся тем, что, с целью уменьшения коммутационного перенапряжения и обратного тока утечки при сохранении нагрузочных характеристик в проводящем состоянии, в качестве рекомбинационной примеси вводят платину, распределение концентрац...
1101098![Полупроводниковый прибор и способ его изготовления Полупроводниковый прибор и способ его изготовления](/img/empty.gif)
Полупроводниковый прибор и способ его изготовления
1. Полупроводниковый прибор, содержащий полупроводниковую пластину по крайней мере с одним p - n-переходом и контактную металлизацию, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности, металлизация выполнена с уменьшающейся по направлению к поверхности раздела металл - полупроводник микротвердостью с градиентом микротвердости 1013 - 2 1013 Па/м. 2. Способ изготовления полупроводниковог...
1225426![Силовой полупроводниковый прибор с прижимными контактами Силовой полупроводниковый прибор с прижимными контактами](/img/empty.gif)
Силовой полупроводниковый прибор с прижимными контактами
Силовой полупроводниковый прибор с прижимными контактами и металлизированными контактными площадками к эмиттерным и базовым областям, отличающийся тем, что, с целью снижения электрических потерь во включенном состоянии и повышения выхода годных приборов, металлизация контактных площадок к эмиттерным областям выполнена из последовательно нанесенных слоев фосфорсодержащего никеля, гальванич...
1274560![Быстродействующий тиристор с регенеративным управлением Быстродействующий тиристор с регенеративным управлением](/img/empty.gif)
Быстродействующий тиристор с регенеративным управлением
Изобретение относится к полупроводниковому приборостроению. Цель изобретения - уменьшение падения напряжения в открытом состоянии и времени выключения при снижении энергии потерь и повышении стойкости di/dt при включении. Для этого в быстродействующем тиристоре с регенеративным управлением, включающем многослойную полупроводниковую структуру с боковой фаской, содержащую области вспомогате...
1574122![Способ изготовления силовых полупроводниковых приборов Способ изготовления силовых полупроводниковых приборов](/img/empty.gif)
Способ изготовления силовых полупроводниковых приборов
Способ изготовления силовых полупроводниковых приборов, включающий облучение полупроводниковых структур через защитные маски дефектообразующим излучением до максимальной концентрации дефектов в базовой области 1011-1013 см-3, отличающийся тем, что, с целью улучшения статических и динамических характеристик приборов, облучение проводят электронами -распада от изотопного источника Sr90.
1618211![Сплав для омических контактов кремниевых структур Сплав для омических контактов кремниевых структур](/img/empty.gif)
Сплав для омических контактов кремниевых структур
Сплав для омических контактов кремниевых структур, содержащий кремний, никель, фосфор, алюминий, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода выпрямительных элементов на основе кремниевых структур на операции сплавления путем повышения технологической пластичности при одновременном снижении максимальной величины локального отклонения пиков вплавления относительно плоскости фро...
1746846![Способ получения силумина для полупроводниковой техники Способ получения силумина для полупроводниковой техники](/img/empty.gif)
Способ получения силумина для полупроводниковой техники
Использование: в полупроводниковой технике и для получения исходных заготовок при производстве фольги из алюминиево-кремниевых сплавов. Сущность: приготавливают расплав алюминия, нагревают до 800 - 900oС, вводят в расплав кремний и никелированный кремний в количестве 10 - 50% от общей массы вводимого, причем соотношение массы никелевого покрытия к массе кремния в никелированном кремнии со...
1782053![Способ получения модификаторов для силуминов Способ получения модификаторов для силуминов](/img/empty.gif)
Способ получения модификаторов для силуминов
Использование: в металлургии при разработке комплексного материала для модифицирования заэвтектических силуминов. Сущность: проводят осаждение никель-фосфорного сплава на кремниевых пластинах до соотношения массы никель-фосфорного сплава к массе кремниевых пластин, равного 1/50-1/80. Используют никель-фосфорный сплав, содержащий 4-10 мас. % фосфора. 1 табл. Изобретение относится к металлу...
1793742