Кузьмин В.Л.
Изобретатель Кузьмин В.Л. является автором следующих патентов:

Паровозная коловратная машина
Клас: 14 а, 1 ABTQP1 H0E СВИДЕТЕЛЬСТВО НА ИЗОБРЕТЕНИЕ ОПИСАНИЕ паровозной коловратной машины. К авторскому свидетельству В. Л. Нузыина, заявленному 18 января 1932 года (спр. о перв. ¹ 101698). 0 выдаче авторского свидетельства опубликовано 31 января 1934 года. (480) Изобретение относится к коловратным машинам с эксцентричным вращающимся барабаном и диаметрально проходящей в эт...
34242
Тиристор
1. ТИРИСТОР, содержащий вспомогательный n-эмиттер, расположенный в центре структуры вокруг управляющего электрода, снабженный выступами, приближенными по радиусу к управляющему электроду, основной эмиттер, охватывающий вспомогательный эмиттер и отделенный от него p- базовым слоем, отличающийся тем, что с целью повышения допустимой величины скорости нарастания анодного тока и повышения раб...
908198
Тиристор
Тиристор, выполненный на основе n-р-n-р- структуры с шунтами р-типа в n-эмиттере и с концентрацией акцепторной примеси в р-базе под n-эмиттером по всей площади на расстоянии 3 - 8 мкм, не превышающей 5 1015 см-3, отличающийся тем, что, с целью повышения динамических и частотных параметров, повышения напряжения и предельного тока при сохранении малых значений прямых падений напряжений, в...
1026610
Способ изготовления выпрямительных элементов
Способ изготовления выпрямительных элементов силовых полупроводниковых приборов, включающий операции шлифовки и химической очистки пластин кремния, изготовления высоковольтных p-n-переходов и создания омических контактов методом диффузионной сварки, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных приборов, после изготовления высоковольтных p-n-переходов с обеих сторон пла...
1082233
Силовой быстровосстанавливающийся диод
Силовой быстровосстанавливающийся диод, содержащий в базовой области рекомбинационную примесь, концентрация которой уменьшается от эмиттера вглубь базы, отличающийся тем, что, с целью уменьшения коммутационного перенапряжения и обратного тока утечки при сохранении нагрузочных характеристик в проводящем состоянии, в качестве рекомбинационной примеси вводят платину, распределение концентрац...
1101098
Полупроводниковый прибор и способ его изготовления
1. Полупроводниковый прибор, содержащий полупроводниковую пластину по крайней мере с одним p - n-переходом и контактную металлизацию, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности, металлизация выполнена с уменьшающейся по направлению к поверхности раздела металл - полупроводник микротвердостью с градиентом микротвердости 1013 - 2 1013 Па/м. 2. Способ изготовления полупроводниковог...
1225426
Силовой полупроводниковый прибор с прижимными контактами
Силовой полупроводниковый прибор с прижимными контактами и металлизированными контактными площадками к эмиттерным и базовым областям, отличающийся тем, что, с целью снижения электрических потерь во включенном состоянии и повышения выхода годных приборов, металлизация контактных площадок к эмиттерным областям выполнена из последовательно нанесенных слоев фосфорсодержащего никеля, гальванич...
1274560
Быстродействующий тиристор с регенеративным управлением
Изобретение относится к полупроводниковому приборостроению. Цель изобретения - уменьшение падения напряжения в открытом состоянии и времени выключения при снижении энергии потерь и повышении стойкости di/dt при включении. Для этого в быстродействующем тиристоре с регенеративным управлением, включающем многослойную полупроводниковую структуру с боковой фаской, содержащую области вспомогате...
1574122
Способ изготовления силовых полупроводниковых приборов
Способ изготовления силовых полупроводниковых приборов, включающий облучение полупроводниковых структур через защитные маски дефектообразующим излучением до максимальной концентрации дефектов в базовой области 1011-1013 см-3, отличающийся тем, что, с целью улучшения статических и динамических характеристик приборов, облучение проводят электронами -распада от изотопного источника Sr90.
1618211
Сплав для омических контактов кремниевых структур
Сплав для омических контактов кремниевых структур, содержащий кремний, никель, фосфор, алюминий, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода выпрямительных элементов на основе кремниевых структур на операции сплавления путем повышения технологической пластичности при одновременном снижении максимальной величины локального отклонения пиков вплавления относительно плоскости фро...
1746846
Способ получения силумина для полупроводниковой техники
Использование: в полупроводниковой технике и для получения исходных заготовок при производстве фольги из алюминиево-кремниевых сплавов. Сущность: приготавливают расплав алюминия, нагревают до 800 - 900oС, вводят в расплав кремний и никелированный кремний в количестве 10 - 50% от общей массы вводимого, причем соотношение массы никелевого покрытия к массе кремния в никелированном кремнии со...
1782053
Способ получения модификаторов для силуминов
Использование: в металлургии при разработке комплексного материала для модифицирования заэвтектических силуминов. Сущность: проводят осаждение никель-фосфорного сплава на кремниевых пластинах до соотношения массы никель-фосфорного сплава к массе кремниевых пластин, равного 1/50-1/80. Используют никель-фосфорный сплав, содержащий 4-10 мас. % фосфора. 1 табл. Изобретение относится к металлу...
1793742