Способ изготовления полупроводниковых структур
Патент 1294209
Авторы
Классы МПК
Способ изготовления полупроводниковых структур
Реферат
Способ изготовления полупроводниковых структур, включающий обработку поверхности кристалла теллурида кадмия-ртути р-типа проводимости полирующим бромсодержащим составом с последующим напылением пленки металла из ряда Al, Cr, Pb, Mn, отличающийся тем, что, с целью улучшения вольт-амперной характеристики структуры за счет снижения обратного тока, полученную структуру облучают сфокусированным пучком с энергией 25 - 30 кэВ дозой (1 - 3) 10-9 Кл/см2.