Кулешов В.Ф.

 Способ изготовления полупроводниковых структур, включающий обработку поверхности кристалла теллурида кадмия-ртути р-типа проводимости полирующим бромсодержащим составом с последующим напылением пленки металла из ряда Al, Cr, Pb, Mn, отличающийся тем, что, с целью улучшения вольт-амперной характеристики структуры за счет снижения обратного тока, полученную структуру облучают сфокусированны...

 Способ формирования р-n-переходов на основе кристаллов теллурида кадмия-ртути р-типа проводимости, включающий обработку кристаллов потоком ионов, отличающийся тем, что, с целью повышения качества р-n-перехода за счет снижения радиационного воздействия на кристаллы, обработку проводят в плазме аргона ВЧ-разряда при давлении от 6,7 10-1 до 66,5 Па и величине удельной мощности на единицу по...

 Способ изготовления тестовых структур для электронно-зондовых методик на основе теллурида кадмия-ртути р-типа проводимости, включающий обработку поверхности исходного кристалла полирующим бромсодержащим составом с последующим напылением медленно диффундирующих металлов из ряда: Al, Cr, Pb, Mn, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества тестовой структуры за счет повышения ее чувств...