Способ формирования p-n-переходов на основе кристаллов теллурида кадмия-ртути p-типа проводимости
Патент 1364146
Авторы
Классы МПК
Способ формирования p-n-переходов на основе кристаллов теллурида кадмия-ртути p-типа проводимости
Реферат
Способ формирования р-n-переходов на основе кристаллов теллурида кадмия-ртути р-типа проводимости, включающий обработку кристаллов потоком ионов, отличающийся тем, что, с целью повышения качества р-n-перехода за счет снижения радиационного воздействия на кристаллы, обработку проводят в плазме аргона ВЧ-разряда при давлении от 6,7 10-1 до 66,5 Па и величине удельной мощности на единицу поверхности от 0,6 до 1,3 Вт/см2.