Редькин С.В.

 Изобретение относится к технологии микроэлектронных приборов, в частности к плазменным способам формирования топологии функциональных слоев, и может быть использовано при производстве интегральных схем и других полупроводниковых устройств. Целью изобретения является повышение скорости травления. Пленки ниобия на кремнии травят в плазме смеси хлор- и фторсодержащих газов при соотношении 0,...

 Способ формирования р-n-переходов на основе кристаллов теллурида кадмия-ртути р-типа проводимости, включающий обработку кристаллов потоком ионов, отличающийся тем, что, с целью повышения качества р-n-перехода за счет снижения радиационного воздействия на кристаллы, обработку проводят в плазме аргона ВЧ-разряда при давлении от 6,7 10-1 до 66,5 Па и величине удельной мощности на единицу по...

 Способ изготовления тестовых структур для электронно-зондовых методик на основе теллурида кадмия-ртути р-типа проводимости, включающий обработку поверхности исходного кристалла полирующим бромсодержащим составом с последующим напылением медленно диффундирующих металлов из ряда: Al, Cr, Pb, Mn, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества тестовой структуры за счет повышения ее чувств...

 Способ геттерирования металлических примесей в пластине кремния, включающий обработку нагретой пластины в электрическом разряде в газовой атмосфере, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей процесса геттерирования путем снижения температуры геттерирования, обработку пластины проводят в разряде высокой частоты, в атмосфере смеси кислорода с фторсодержащим соед...

  Изобретение относится к плазменной технике, а более конкретно к СВЧ - плазмотронам, предназначенным для плазменной обработки материалов при давлениях ниже атмосферного, и может быть использовано для проведения процессов травления, очистки, осаждения, формирования собственных диэлектриков (анодирования) на полупроводниках и металлах. Целью изобретения является повышение эффективности обра...

 Использование: в технике термообработки материалов в электромагнитных полях. Сущность : способ включает укладку древесины на оснастке в рабочей камере путем формирования волноводов от не менее одного СВЧ - генератора. Способ обеспечивает электромагнитную обработку с низкими энергозатратами и в течение короткого времени. При этом древесина сохнет равномерно, не трескается. 1 ил. Изобретени...

 Устройство для электромагнитной обработки сыпучих материалов может применяться для нагрева и сушки сыпучих продуктов химической промышленности, в частности для сушки полимерных гранул, служащих исходным сырьем при штамповке изделий. Предлагаемое изобретение позволяет получить равномерно высушенный сыпучий материал с низкой влажностью при низких энергозатратах в простом по конструкции и на...

 Использование: в технике термообработки материалов в электромагнитных полях, а также для нагрева и сушки изделий химической, лесоперерабатывающей промышленности, в частности для сушки досок различных размеров. Сущность: устройство для электромагнитной обработки древесины включает термоизолированную рабочую камеру с дверью и расположенной внутри оснасткой, выполненной с возможностью укладк...

 СВЧ-плазменное осаждение диэлектрических пленок на металлические поверхности с малым радиусом кривизны относится к области осаждения диэлектрических пленок на металлические поверхности и может быть использовано для изоляции проводников различных датчиков, работающих в агрессивных и химически активных средах, для пассивации различных металлических поверхностей, а также при изготовлении вол...

 Изобретение относится к технике термообработки материалов в электромагнитных полях и может быть использовано для нагрева и сушки изделий химической, лесоперерабатывающей промышленности, в частности для сушки досок различных размеров. Способ сушки материалов, преимущественно древесины, включает укладку обрабатываемого материала в рабочую камеру в форме клина, который располагают так, что э...

 Устройство для СВЧ-сушки сыпучих материалов содержит СВЧ-генератор, сочлененный с прямоугольным волноводом, и узлы загрузки и выгрузки, соединенные с камерой нагрева из прозрачного для СВЧ-энергии материала, сопряженной с широкой стенкой прямоугольного волновода, в месте сопряжения коаксиально камере вне ее установлены два круглых волновода, диаметры которых не превышают размера широкой с...

 Использование: при разработке технологии травления кремнийсодержащих слоев в производстве твердотельных микроэлектронных приборов. Сущность изобретения: способ плазмохимического травления кремнийсодержащих материалов включает травление через полимерную резистивную маску плазмообразующей смесью, содержащей гексафторид серы (SF6), четыреххлористый углерод (CCl4), ацетон (C3H6O2) и аргон (Ar...

 Устройство для СВЧ-плазменной обработки материалов относится к области плазмохимии и может быть использовано в микроэлектронной промышленности в производстве интегральных схем и дискретных полупроводниковых приборов при травлении и осаждении материалов и выращивании собственного диэлектрика на полупроводниках и металлах. Технический результат - повышение эффективности использования СВЧ-эн...

 Способ карбонизации древесной массы относится к производству активного угля и органических продуктов из углеродсодержащего сырья и может быть использовано в деревообрабатывающей промышленности для утилизации древесных отходов. Способ карбонизации древесной массы включает ее термическую обработку в обедненной кислородом атмосфере, новым является то, что термическую обработку проводят в пуч...

 Изобретение относится к области осаждения диэлектрических пленок с включениями кристаллической фазы на металлические поверхности с малым радиусом кривизны и может найти применение при изготовлении различных инструментов, в частности, для использования в медицине. Способ включает синтез в скрещенных потоках плазмообразующего и кремнийсодержащего газов вблизи или на нагретой ИК- излучением...