Способ реактивного ионного травления ниобия на кремнии

Способ реактивного ионного травления ниобия на кремнии

Реферат

 

Изобретение относится к технологии микроэлектронных приборов, в частности к плазменным способам формирования топологии функциональных слоев, и может быть использовано при производстве интегральных схем и других полупроводниковых устройств. Целью изобретения является повышение скорости травления. Пленки ниобия на кремнии травят в плазме смеси хлор- и фторсодержащих газов при соотношении 0,1-1: 1 и процесс проводят при плотности мощности разряда от 0,06 до 1,45 Вт/см². При мощности на единицу поверхности от 0,01 до 1,45 Вт/см² скорость травления составляет 130-600 нм/мин. 1 табл.

Изобретение относится к технологии микроэлектронных приборов, в частности к плазменным способам формирования топологии функциональных слоев, и может быть использовано при производстве интегральных схем и других полупроводниковых устройств. Цель изобретения повышение скорости травления. Пример. Проводят травление пленки Nb толщиной 0,2 мкм во фтор-хлорсодержащей плазме (SF₆ + CCl₄ + O₂) при давлении 110^-2 мм рт.ст. (1,33 Па). Результаты обработки при различных режимах приведены в таблице.

Формула изобретения

Способ реактивного ионного травления ниобия на кремнии, включающий обработку образцов в плазме фторсодержащего соединения и кислорода при пониженном давлении, отличающийся тем, что, с целью повышения скорости травления, в плазму дополнительно вводят хлорсодержащее газообразующее соединение при объемном отношении его к фторсодержащему газу (0,1 1) 1 и процесс проводят при плотности мощности разряда от 0,06 до 1,45 Вт/см².

РИСУНКИ

Рисунок 1

MM4A Досрочное прекращение действия патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе

Номер и год публикации бюллетеня: 23-2001

Извещение опубликовано: 20.08.2001