Юнкин В.А.

 Изобретение относится к технологии микроэлектронных приборов, в частности к плазменным способам формирования топологии функциональных слоев, и может быть использовано при производстве интегральных схем и других полупроводниковых устройств. Целью изобретения является повышение скорости травления. Пленки ниобия на кремнии травят в плазме смеси хлор- и фторсодержащих газов при соотношении 0,...

 Способ формирования р-n-переходов на основе кристаллов теллурида кадмия-ртути р-типа проводимости, включающий обработку кристаллов потоком ионов, отличающийся тем, что, с целью повышения качества р-n-перехода за счет снижения радиационного воздействия на кристаллы, обработку проводят в плазме аргона ВЧ-разряда при давлении от 6,7 10-1 до 66,5 Па и величине удельной мощности на единицу по...

 Способ изготовления тестовых структур для электронно-зондовых методик на основе теллурида кадмия-ртути р-типа проводимости, включающий обработку поверхности исходного кристалла полирующим бромсодержащим составом с последующим напылением медленно диффундирующих металлов из ряда: Al, Cr, Pb, Mn, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества тестовой структуры за счет повышения ее чувств...

 Способ геттерирования металлических примесей в пластине кремния, включающий обработку нагретой пластины в электрическом разряде в газовой атмосфере, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей процесса геттерирования путем снижения температуры геттерирования, обработку пластины проводят в разряде высокой частоты, в атмосфере смеси кислорода с фторсодержащим соед...

 Использование: изобретение относится к области изготовления оптических элементов, в частности линз для рентгеновских приборов (рентгеновские дифрактометры микроскопы, телескопы и т. д.), применяемых в диапазоне 6 кэВ (жесткое рентгеновское излучение). Сущность изобретения: линза содержит полированную монокристаллическую пластину из германия с профилем поверхности в виде френелевской стру...