Старков В.В.

 Изобретение относится к технологии микроэлектронных приборов, в частности к плазменным способам формирования топологии функциональных слоев, и может быть использовано при производстве интегральных схем и других полупроводниковых устройств. Целью изобретения является повышение скорости травления. Пленки ниобия на кремнии травят в плазме смеси хлор- и фторсодержащих газов при соотношении 0,...

 Способ контроля качества соединений элементов конструкции полупроводниковых приборов, включающий создание механического напряжения в соединения кристалла и основания корпуса прибора, измерение параметра, характеризующего качество соединения кристалла и основания корпуса, и сравнение его с эталонным, отличающийся тем, что, с целью повышения достоверности контроля, механическое напряжение с...

 Способ изготовления фотоанодов на основе внутреннего активного p-n-перехода, включающий осаждение на пластину кремния n-типа проводимости источника диффузанта, содержащего оксид бора, термообработку, формирование защитного слоя с лицевой стороны и омического контакта с обратной стороны пластины, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных фотоанодов за счет улучшения однороднос...

 Способ геттерирования металлических примесей в пластине кремния, включающий обработку нагретой пластины в электрическом разряде в газовой атмосфере, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей процесса геттерирования путем снижения температуры геттерирования, обработку пластины проводят в разряде высокой частоты, в атмосфере смеси кислорода с фторсодержащим соед...

 Способ получения сверхтонких пленок ниобия, включающий напыление и анодное окисление, отличающийся тем, что, с целью повышения временной стабильности пленок, анодное окисление первоначально проводят при плотности тока, не превышающей 0,3 мА/см2, до достижения заданной толщины пленки, а затем в режиме постоянного напряжения в течение 30 - 40 мин.

 Изобретения предназначены для использования в качестве датчиков магнитного поля или тензодатчиков. Магниторезистивный элемент состоит из изолирующей подложки и нанесенной на нее пленки из магниторезистивного сплава в виде структуры, состоящей из четырех меандров, соединенных по мостовой схеме. Полосы меандров, образующих соседние плечи моста, взаимно перпендикулярны. Толщина пленки не мен...