Способ контроля качества соединений элементов конструкции полупроводниковых приборов
Реферат
Способ контроля качества соединений элементов конструкции полупроводниковых приборов, включающий создание механического напряжения в соединения кристалла и основания корпуса прибора, измерение параметра, характеризующего качество соединения кристалла и основания корпуса, и сравнение его с эталонным, отличающийся тем, что, с целью повышения достоверности контроля, механическое напряжение создают сжатием или растяжением основания корпуса прибора, измеряют относительную деформацию корпуса, параметр, характеризующий качество соединения кристалла и основания корпуса, измеряют при величине относительной деформации основания корпуса прибора в пределах 10-1 - 10-3, при этом в качестве параметра, характеризующего качество соединения кристалла и основания корпуса, используют электрический параметр, характеризующий контролируемый прибор и зависящий от деформации.