Способ изготовления интегральных схем

Способ изготовления интегральных схем

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

|(/) а

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ "," ;;

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

1 (2Q 3782094/25 (Щ 160834 (46) 30.1193 Бой Ий 43-44

{72) Латышев АВ„Лоюако BM„. Прохоцкий Ю.М„ (IS) SU (11) 1223784 АХ (51) 5 Н011 21 36 HOI LXI Зб5

Соловьев Ий: Тарасова 0.6. (64) СПОСО6 ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ (67) ,2",".784

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении интегральных схем (ИС) с вертикальной диэлектрической изоляцией, имеющих повь)шенную радиационну)с стойкость к у-облучению.

Цель изобретения — повышение радиационной стойкости схемы и у-облучению с одновременным улучшением качества межэлементной изоляции.

Пример. На пластину кремния типа

КБД = О,З Я 76 мм ориентации <111>, са

+ скрытым h -слоем, легированным сурьмой до концентрации 5 10 6 см 3, на установке

УНЭС-2ПКА наращивают эпитаксиальный слой монокристаллического кремния р-типа р= 0,6 Ом.см, толщиной 1,5= 0,2 мкм путем термического разложения моносила!G, 38" тем структуру окисля)от в сухом кислороде при.1000 С в течение 35 мин до создания слоя Я!Ог толщинОЙ 500 А. Путем пиралитического осаждения на <поверхности сла".

< 10г создают слой нитрида кремния толщиной 0,2 мкм, на который наносят слой фотарезиста с топологическим рисунком вертикальной диэлектрической изоляции. В открытых участках структуры ионна-плазменным травлением !)э установке "Плазма600" уда-яют слои ЯЮг и Sl3hli; и В эпитэксиэльнОМ слое вытааВлиБэ!От ве.,,!т,"; кальные канавки на глубину =-1,1 мкм. П:сле удаления фоторезиста и хими«!еска!1 очистки поверхности в области канавок "..0здают диэлектрическую и" аляци)о 13 3! Ог, акиСляя крвм)!ий aG глубину = ; 2,2 " is I!pt) повышенном давлении парса воды. Гараметры процесса гидротермального Окисления слЯду)ощее, тем перэт pG 1000 С, давление паров воды 0,2 МП<), время окисления 300 мин.

На следующей операции удаля:ат хим:,ческим травлением участки Sl02 — 54til,! и

° окислением по режиму сухой — ВлажныЙсухой кислород при 1150ОС получают слои маскиру)ащего окисла толщиной 01,4 мк!и i)0 всей поверхности эпитаксиальнога слав.

Формируют активные и пассивные элементы интегральной схемы и защища)от поверхность с планарной стороны слоем )l02 толщиной 0,35 мкм. Глубины залегания эмиттерного и коллекторного р-и-р-rlep3:<одов следующие: р (n 1 = 0,8 мкм, р (0 } =- 1, 1! мкм, а площадь, занимаемая вентилем из двух транзисторов, — 1200 мкм . г

На поверхность структуры с планарной стороны методом центрифугирования наносят слой фот зрезиста марки ФП вЂ” 25 толщиной 5 мкм, в котором методом экспонирования через фотошаблон и Оавлением да пзссивиру!ощега слоя Вскгыв»lT GGplикал!,ные канавки, ге!эм)ет!)ический рисунок и поперечные размеры которых повторяют рисунок межэлементной Верти5 кальной диэлектрической изоляции, Затем, не удаляя,слоя фагарозиста, пластину са Г,труктурами ИС помещают в Облучательну!а установку АОИ с источниками а-частиц HG Основе изотопа И1), В кОтОрОй, 239 г!редвэрительна регулируя давле!)ие газа и расстояние пластины QT рэдиоизатапнаГО истОчника, yñTGÁGÁëè!3GIQò Глубинч прабеГэ

6:- эгти1" B Фотарези т =- 5 мкм ITQ с учетам среднеквэдрэти-)нага разброса дг!ин пробега -I-0,5 мкм Обеспечивает радиациОн iy!0 обработку пасс-)Виру)ащега алая. ИнТЕГР l!iЬНЫЯ ПО! ОК Ы-ЧЭС ГИЦ ВЫО IPGfQT

1 10 част«)ц/с:".. «:; -: Ом В не эи)!)щ)1ньгк фатарезистам у Гас Гкэх <<-частицы прони)<а)от нэ глубину 5 . ::.км, Обр03óÿ РД (рэдиационнь)е де<))екг!.!!. и пад слоем герT."tiGG I,0tt а,ИЗ « ., "Pi -IGt,t)0!);13

K Р Е I I Н:;!И .

+tGë<.0, и кис)!Орадна."; пла«з. "е нэ устапавка "П!лаз!)э — t 00 ачищэ!От l)0: рхнасть плас ии ат алая

125/3А, г:у- п))аиадя T t QMQQI ).:6L0Tyy пpи

l tG 3!3 "l! юч ТОЛ L! Ом ЭТЭ II". "!GГОТ.:Вле!! .);*.

1/,, <.", . 1!ч:)тныг,,: —,ех))рл.);;,;ч):r y:,)I,;y;, Опапа1:,.)Я!

МЕ>К)!) ЭПО! :Е);TBÌI) СХИ "Lt.

=;;)ð,,,Tт;!, 30êèå па):эl.!е ) (i !,* Я)„из!.,,r QЭGI) -1 нэ эвl амат! 3) «)алэl!! !с 1 с!1стем:; . iзда-И5, .! )л «!Иэ "Il,;:1) 4ь лэ и. ятэ L.) ).,ду!О1! ),:,:; Гр) Г!Пэ ! та, ических !)эра)«)ата;) 1:; ! „,, —, . ы одHQG

110 П P tl.;!КЕ I "". .И 0 Ь Ы С 0 К 0 Г У Р 0 В Н и: ),. 1, х И Ы )

;<ЗГ lае НЭГIая)1:ег!!)е t !31«010 у )ОВНЛ; lLy, и .ОЛ НОЙ ТОК ВЫСОКОГО УООИН ): ВХОДНОЙ

Т0у низкого уровня. Пр!!Ва)хенн<: напряже-!!ие питания составляла — 5,2 8 1-1Э Г!ластине праиадили,00O, -1 ylo 11раверку е;,; нэ функцианироGGII.)G:) строили Гистааграммы

1)эс!) ределе, :ltl)) 1:<)рэ!.11= т!)ОВ; Г)0 Оси Ч аткла/ )вэ))и 0! Иашениа числа фун):.;. !0! It)py!0ших схе 1 !i0 изме .)яе)10м / парэ;иетft к г!Ол наму -,исл у сх! .)и н;. 1,))30", ине, по оси ӫ—

Г:,"

3;)ачен! я ="- )элиз!)руж )ОГО Г)араме, pG. PG3 ., Г)акавку - .э Гад!1ые схе. lь) Гlровадили са"

:ll«tC 1 !G)

l .) <, н. ° 1"-,Gjl, j)0 ij .ак 1, ..М У 1ОЧНым;t я зля lатс» яС с велич!)нами )Зайцу : 1,6 В, 50 „)t «:„50 МХА.

ИспользОвание В техн<) )О-; I t(ñ <0ì працсссе операций -эадиэцианна"термической обрэбзтки ()нтегрэльныи пстак