Волле В.М.

 Способ изготовления тиристорных структур, включающий формирование в полупроводнике p+-n-p-n+ слоев, изготовление и пассивацию краевого контура, облучение структуры протонами со стороны управляющего электрода сквозь n+ эмиттерный слой, отличающийся тем, что, с целью уменьшения потерь мощности в проводящем состоянии при заданном уровне времени выключения, облучение проводят после формирован...

 Способ изготовления силовых кремниевых диодов, включающий формирование p-n-перехода, омических контактов к p и n областям и облучение электронами, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров за счет уменьшения падения напряжения при прямом токе и сохранения времени выключения, облучение электронами проводят со стороны сильнолегированной области, при этом энергию...

 Использование: изобретение может быть использовано при конструировании приборов сильноточной электроники и микроэлектронной техники. Сущность: способ включает гидрофилизацию кремниевых пластин, помещение пластин в раствор, содержащий не менее 1 об.% плавиковой кислоты в деионизованной отфильтрованной воде, промывку пластин в деионизованной отфильтрованной воде, затем пластины соединяют по...