Гейфман Е.М.

 Устройство для измерения времени выключения тиристоров по авт. св. N 708266, отличающееся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей, оно снабжено быстродействующим однонаправленным ключом и переменным резистором, при этом параллельно соединенные быстродействующий однонаправленный ключ и переменный резистор включены между катодом вспомогательного тиристора развязки с подключ...

 Способ определения качества изготовления тиристора, включающий измерение времени выключения тиристора, отличающийся тем, что, с целью упрощения и повышения достоверности способа, повторно выключают тиристор, регистрируют зависимость прямого тока через тиристор от времени, в момент снижения прямого тока через тиристор до нуля прикладывают положительное напряжение к металлизации катодной об...

 Способ изготовления тиристорных структур, включающий формирование в полупроводнике p+-n-p-n+ слоев, изготовление и пассивацию краевого контура, облучение структуры протонами со стороны управляющего электрода сквозь n+ эмиттерный слой, отличающийся тем, что, с целью уменьшения потерь мощности в проводящем состоянии при заданном уровне времени выключения, облучение проводят после формирован...

 Способ изготовления силовых кремниевых диодов, включающий формирование p-n-перехода, омических контактов к p и n областям и облучение электронами, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров за счет уменьшения падения напряжения при прямом токе и сохранения времени выключения, облучение электронами проводят со стороны сильнолегированной области, при этом энергию...

 Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров. Сущность изобретения: способ включает резку кремниевого слитка на пластины и формирование диффузионной структуры с p-n - переходами. Катодный эмиттерный переход для тиристоров с широкой базовой областью n - типа или анодный эмиттерный переход для тиристоров с широкой ба...

 Использование: изобретение относится к силовой полупроводниковой технике и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов. Сущность изобретения: способ включает регулирование величины заряда обратного восстановления Qrr, определяемой соотношением Q3-QQфiQ3+Q , где Qз - требуемое значение Qrr для полупроводниковых приборов, Qфi - фактически измеренное значение Qrr у i-го полу...

 Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров. Устройство содержит источник импульсов прямого тока, источник импульсов обратного напряжения, источник импульсов прямого напряжения, первый управляемый ключ, источник, импульсов обратного тока управления, блок управления, клеммы для подключения испытуемого тиристора, дат...

 Изобретение относится к электронной промышленности и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров. Сущность способа заключается в однородном по площади облучении выпрямительных элементов тиристоров потоком быстрых электронов или протонов и создании путем дополнительного локального облучения участка повышенной рекомбинации, расположенного под управляющим электродом...

 Использование: при конструировании полупроводниковых симметричных ограничителей напряжения с малым значением динамического сопротивления. Сущность изобретения: высоковольтный полупроводниковый симметричный ограничитель напряжения выполнен состоящим из n одинаковых последовательно соединенных низковольтных симметричных (р-n-р или n-р-n) ограничителей напряжения, количество которых n опреде...