Полупроводниковый переключающий прибор
Реферат
Полупроводниковый переключающий прибор, содержащий тиристорную и диодную структуры с общей слаболегированной базой, причем слаболегированная база тиристорной структуры имеет слой с повышенной концентрацией легирующей примеси, прилегающей к эмиттеру, отличающийся тем, что, с целью защиты от ложного срабатывания, слаболегированная база диодной структуры имеет толщину меньшую, чем база тиристорной структуры, по крайней мере на 1/4.