Костина Л.С.

 Тиристор с шунтировкой эмиттерного перехода, выполненной в виде каналов, проходящих от базового слоя сквозь эмиттерный слой к токоподводящему электроду, отличающийся тем, что, с целью увеличения коэффициента выключения и уменьшения времени выключения, контакт к шунтирующим элементам выполнен в виде барьера Шоттки.

 Полупроводниковый переключающий прибор, содержащий тиристорную и диодную структуры с общей слаболегированной базой, причем слаболегированная база тиристорной структуры имеет слой с повышенной концентрацией легирующей примеси, прилегающей к эмиттеру, отличающийся тем, что, с целью защиты от ложного срабатывания, слаболегированная база диодной структуры имеет толщину меньшую, чем база тирис...

 Состав для получения защитного покрытия поверхности кремния от диффузии примесей, содержащий тетраэтоксисилан, воду и концентрированную соляную кислоту, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества защиты от диффузии примесей III и V групп и защиты от диффузии щелочных металлов, он содержит пересыщенный водный раствор азотнокислого циркония при следующем соотношении компонентов, мас....

 Состав для получения защитного покрытия поверхности кремния от диффузии примесей III и V групп и щелочных металлов, содержащий тетраэтоксисилан, воду, концентрированную соляную кислоту и пересыщенный водный раствор азотнокислого циркония, отличающийся тем, что, с целью сохранения стабильности свойств, он дополнительно содержит соль металла из группы лантанидов при следующем соотношении ко...

 Мощный быстродействующий тиристор на основе p-n-p-n-структуры, содержащий p- и n-эмиттеры, базовые области p- и n-типов проводимости, отличающийся тем, что, с целью повышения нагрузочной способности по току и рабочей частоты за счет увеличения площади структуры и уменьшения ее толщины, базовая область n-типа проводимости со стороны p-эмиттера выполнена с выступами, образующими на поверхно...

 Применение: в реверсивно-управляемых приборах транзисторного и тиристорного типа для уменьшения мощности цепи накачки при коммутации больших токов. Сущность изобретения: вполупроводниковую структуру в базовый слой на границе с эмиттерным слоем введены участки с концентрацией легирующей примеси, не менее чем на порядок превышающей концентрацию легирующей примеси в базовом слое того же типа...

  Использование: в полупроводниковой технике при создании запираемых и комбинированно-выключаемых тиристоров, а также биполярных транзисторов. Сущность изобретения: в полупроводниковом приборе высокопроводящие участки сформированы внутри базового слоя регулярно на глубине не менее ширины области объемного заряда эмиттерного перехода и толщиной не более разности между расстоянием от поверхн...

 Использование: в технологии изготовления мощных полупроводниковых приборов, а именно при изготовлении мощных быстродействующих реверсивно включаемых динисторов. Сущность изобретения: в способе изготовления силовой многослойной полупроводниковой структуры, заключающемся в создании диффузией или имплантацией на поверхности пластины заданного распределения легирующей примеси, последующим сра...

 Использование: технология изготовления полупроводниковых структур, для изготовления приборов сильноточной электроники и микроэлектроники методом прямого сращивания. Сущность изобретения: способ изготовления кремниевых структур, заключается в полировке пластин, их гидрофилизации, обработке пластин в растворе плавиковой кислоты в деионизованной воде, соединении пластин отполированными сторо...

 Использование: технология изготовления полупроводниковых структур, изготовление кремниевых структур, содержащих р-слой кремния над и под границей раздела, при создании приборов сильноточной электроники и микроэлектроники. Сущность изобретения: способ изготовления кремниевых структур включает полировку поверхности пластин, создание на этой поверхности канавок глубиной не менее 0,3 мкм и ра...