Аринушкин В.Н.
Изобретатель Аринушкин В.Н. является автором следующих патентов:
Способ изготовления силовых кремниевых диодов
Способ изготовления силовых кремниевых диодов, включающий формирование p-n-перехода, омических контактов к p и n областям и облучение электронами, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров за счет уменьшения падения напряжения при прямом токе и сохранения времени выключения, облучение электронами проводят со стороны сильнолегированной области, при этом энергию...
1809701