Пешев В.В.

 Способ получения полупроводниковых структур арсенида галлия, включающий ионное легирование пластин из арсенида галлия, отжиг путем облучения пучком электронов и последующее охлаждение до комнатной температуры, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества структур за счет снижения температуры отжига, облучение проводят электронами с энергией более 330 кэВ в течение 8-14 с и прекращают...