Чельный А.А.

  Сущность изобретения: элемент нелинейного оптического устройства для преобразования частоты лазерного излучения выполнен из эпитаксиальных волноводных слоев полупроводниковых материалов, нанесенных на полупроводниковую подложку. Установлены условия подбора периодов кристаллических решеток слоев в зависимости от периода кристаллической решетки подложки и определены диапазоны толщин слоев....

 Использование: квантовая электроника, а именно конструкция полупроводниковых лазеров с оптической накачкой, применяемых в системах связи, измерительной технике, медицине и т. д. Сущность изобретения: полупроводниковый лазер с оптической накачкой на основе монолитной гетероструктуры, включающей светодиодную и лазерную структуры и структуру интерференционных зеркал, имеющих максимальный коэ...

 Изобретение относится к квантовой электронной технике, а именно к эффективным высокомощным полупроводниковым инжекционным источникам, в том числе с одномодовым одночастотным излучением. Предложен инжекционный лазер с гетероструктурой, в которой между ограничительными легированными подслоями наибольшего оптического ограничения, ближайшими к активному слою, задан уровень фоновой примеси и в...

 Изобретение относится к способам изготовления инжекционных лазеров на основе гетероструктур. Способ включает выращивание первого ограничительного слоя, содержащего легированный подслой первого типа электропроводности и состава, обеспечивающего наибольшее оптическое ограничение излучения, активного слоя, второго ограничительного слоя, содержащего легированный подслой второго типа электропр...

 Изобретение относится к способам, обеспечивающим регулирование полосы лазерной модуляции эффективных высокомощных полупроводниковых инжекционных лазеров, в том числе с одномодовым, одночастотным излучением. Способ включает создание гетероструктуры с активным слоем и прилегающими к нему с двух сторон ограничительными слоями, включающими с каждой стороны по крайней мере по одному ограничите...