Елисеев П.Г.

 Изобретение относится к квантовой электронной технике, а именно к эффективным высокомощным полупроводниковым инжекционным источникам, в том числе с одномодовым одночастотным излучением. Предложен инжекционный лазер с гетероструктурой, в которой между ограничительными легированными подслоями наибольшего оптического ограничения, ближайшими к активному слою, задан уровень фоновой примеси и в...