ПОРТНЯГИН М.А.

  ИНТЕГРАЛЬНАЯ СТРУКТУРА, выполненная на полупроводниковой подложке , содержащая полевой транзистор с верхним и нижним затворами и биполярный р-п-р транзистор, изолированные друг от друга р-п переходом,. причем канал полевого и база р-п-р транзисторов имеют равномерное рас .пределение примеси противоположного подложке типа проводимости, верхний затвор полевого и эмиттер р-п-р-тран...

  ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР Q изолированным электродом затвора, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости, в которой сформированы высоколегированные области стока, истока второго типа проводимости , которые соединены областью канала -то го же типа проводимости, концентрация основных носителей в которой меньше, чем в областях истока и стока, и расположенной под диэлек...

  1. Усилитель считывания, содержа-. щий ключбвые транзисторы с первого по девятый и нагрузочные транзисторы с первого по шестой, причем затвор и исток первого нагрузочного транзистора подключен к стоку первого.и затвору второго ключевых транзисторов, стоки первого, третьего, четвертого, пятого и шестого нагрузочных транзисторов подключены к первой шине питания , исток первого ключ...

  Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано в постоянном технологически программируемом запоминающем устройстве на МДП-транзнсторах. Целью изобретения является упрощение и сокращение длительности изготовления матричного накопителя для ПЗУ. Поставленная цель достигается размещением в приповерхностном слое полупроводниковой подложки 1 под вторым...