ПОЛЯКОВ АЛЕКСАНДР БЕРКОВИЧ

  1I i1 744383 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик (61) Доно:»»I re.II I G 01R 31j26 с присоединением за»В«и М Росударственный комитет СССР по делам изобретений н аткамтнй (23) Приоритет (43) Опубликовано 30.06.80. Бюллетень ЛЪ 24 (45) Дата г»1убликования оиис; ш1» 30.06.80 (53) УДК 621.382,2 (088.8) (72) ЛВ горь! изобретен...

  Использование: микроэлектроника, технология изготовления полевых транзисторов на арсениде галлия с затвором субмикронной длины. Сущность изобретения: после формирования омических контактов на структуре арсенида галлия с рабочим и контактным слоем наносят слой диоксида кремния пиролитическим разложением тетрээтоксисилана. затем наносят слой нитрида кремния магнетронным способом ,...