Способ определения концентрации носителей тока в полупроводниках

Способ определения концентрации носителей тока в полупроводниках

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

1I i1 744383

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Доно:»»I re.II I

G 01R 31j26 с присоединением за»В«и М

Росударственный комитет

СССР по делам изобретений н аткамтнй (23) Приоритет (43) Опубликовано 30.06.80. Бюллетень ЛЪ 24 (45) Дата г»1убликования оиис; ш1» 30.06.80 (53) УДК 621.382,2 (088.8) (72) ЛВ горь! изобретения! . Ф. Лымарь, А. 6. Полянов и Е, H. Дорская (71) Заявитель

154) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КОНЦЕНТРАЦИИ

НОСИТЕЛЕЙ ТОКА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ

lR,+R)

1О

Изобретение относ1ггся к области измерения свойств полупроводниковых материалов и может быть использовано в технологии изготовления полупроводников.

Известен способ определения концентрации носителей тока, основанный Iia эффекте

Керра и заключающийся в освещении iio.1упроводи11ка монохроыат11ческим светом, помещении его ь маги!!гное иоле и регистрации поворота поляризации излучеш!я, отраженного or полупроводника (1J.

Известный способ требует сложной измерительной аппаратуры, ITQ сш1жает надежность контроля и удорожает исследования.

Известен способ определения концентрации носителей тока в полупроводш1«ах, заключающийся в иропускаиш1 иерсмеiiiiol о тока через диод и измерении зиачсшш тока и напряжения иа нем (2J. Данный способ ие обеспечивает высокой то и!ости измерений, что связано с влияш1см Iiapaaill ill lx емкостей изм pFITc .JII I!oil цепи.

Целью изобретешг» явл»етс» 0„ Iiышеиие точности измерений.

Поставлеш1а» цель достигается тем, что

I

11а фиг, 1 и; обра «е!!о уo rpoiiñrli ч реа. изующее описываемый способ; па фиг. 2 зависимость величины обратной емкости от ооратиого напряжения.

Устройство содержит нагрузочное сопрот:пление. 1, совр! тивлеиие 2 тонкого слоя, д1:од 3. Напряжение высокочастотного сигнала иа выходе схемы (фиг. 1) пропорциоiIa,!Вilo истинной емкости диода 3 где L/ — напряжение высокочастотного си

15 нала Fia выходе схемы;

C — — емкость диода; о! — круговая частота;

R; — последоватсльиос сопротивлешго то.l«ol слоя 2:

20 R — нагрузо и!oe сопротивление 1 в схеме;

Ь, — напряжение высокочастотного сигнала на входе схемы.

Однако что предположение приводит к оол. шой Ilo! решиости при определении кон3 центр»пни, так как имеется большое последовaòerlüíoe сопротш!лс!!ие топ«ого слоя

R!. которое необходимо у!есть.

Из Iepeiilie иапряжelili» высо«о !!!стотио! о 0 сиг11а, !а Iia двух !ас 1 oT IX позвол!1ет иолу744383 чить два урависи!!я " 5п<ум)I и«из! < «Ги!)ми

С И RI!

«„а

I я, ) 1

) — 1

Ф О 13 ill У л d и 3 О О 1) с т с и ll u

ИОСОО 0(!Pei!Ñ .. 1011 !151 КОИ Ц(IITP Ill!II! ИО<..пТС I(.If. 1 ОКа Б;IОСIУ Il ) 0130 IilIIICclX, !3)f I(if IOЧ а К) )(j щиис51;3 п))ОПУС:c()IIIIII;ILРС;<(сllilol О Ока чсpL3 дно,! и изМLJ)СII!Il! 3!IаЧС(<и!1 )ОЙ(! ii Ii(l пря2кспия в !см, отл и I а и Ili,! и с )1 тсм, )0) что> с целью по)31!и сипя IOчио- T, I и3>ILJ)«-!

IIII!, lco!ITP0ль Ока П)I!11251жсl! II)1 IIJ)(2113130 7,,) )i 1 и pli д)3у, I I!0 Г<)T3 ) I I I I Ò;!10;I ((i О ТО); и, J) )f:3I I I 1)! !о (5(и.сс 5! и с м с и с с, ч е м в тр и р и з а.

Исто п)ики ии;)2»р)!!)Ции. гриlIIITûс 130 13(и1м апис пр II экс fic-pT !зс

1. Лвторскос свп ".стел ьство ГГГ Р

3;j М ()8198, к,-!. G 0)R 31, 26, 197=2.

2. Ватdi)IIII В. В. Коитрол! Пар))мстрс)в

l! ()Г) < l! )3 0130, (н ll ко 3 ь) . .

06pdTII00 Ild(1pH2IC0IIII0 iI3 QIIO+O 3; относительная диэлскi pi!ческ )s проницаемость исследуемогo материала; диэлект))ическая вакуума; площадь диода 3; заряд электрона. где U>

Я—

I;poli!I (()(aloeòü

S—

Ч—

U<)R

< 1,, 2 +), с) Отсюда истинная емкость диода: к< ) I О)э а)! П01!с I )! ил5и .тс5! 13 <)) Ор м ) „I ),. 1,, < 5;

Ail(fI1IIL поiililll()ll (мк<н Г:1 иоз!)Ол)!«! ПР«, ((. Ill I f > J !! «. Р (, I <. . I (l I l « !i < ) !If < (l I I J ) ! И ; 1; l I < (I I I (! < I I l f ) ) 5!a (! !i< f < I, l fill l; < I < ) I I < < 1 < ) <, 1 < < 5

lЦl!l ) I(

I! <)« f ll «, «5! 1« i о 1!(и, I! I;<) I <))

Толщ5(на тонкого слоя и определяется по перегибу IIa кривой (см, чертеж):

744383

Puz. z

Риа.1

Составитель Т. Дозоров

Техред А. Камгяшникова

Корректор О. Гусева

Редактор Н. Коляда

Типография, пр. Сапунова, 2

Заказ !023/13 Изд, ¹ 354 Тира>к 1033 Попппспос

I IIlO «Поиск» Государственного комитета СССР по делам пзобрстсппй,i отк1п,|тпй

113035, Москва, К-35, Раушская ппй., и. 4/5