КУКОЗ ВИКТОР ФЕДОРОВИЧ

  О Il Й C А Н Й Е ()749948 ЙЗОБРЕТЕН ЙЯ Сокзв Советских Социалистических Ресттублик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (6l ) Дополнительное к авт. сви)т-ву (22) Заявлено 07.07.78 (2! ) 2639806/22-02 с присоединением заявки K (23) Приоритет Опубликовано 23.07.80. Бюллетень .% 27 (5I) М. Кл. С 252 21/18// С 25 С 7/00 Государственный комитет но делам изобретений и OTKphlTMN (53) УДК...

  Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано для получения слоев Si или Ge, легированных летучей примесью Цель изобретения - получение слоев с однородным распределением по площади удельного сопротивления Способ включает формирование между двумя пластинами Si или Ge зоны раствора-расплава толщиной периферийной области мкм и последующее...