Способ получения слоев s @ или g @ , легированных летучей примесью

Способ получения слоев s @ или g @ , легированных летучей примесью

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано для получения слоев Si или Ge, легированных летучей примесью Цель изобретения - получение слоев с однородным распределением по площади удельного сопротивления Способ включает формирование между двумя пластинами Si или Ge зоны раствора-расплава толщиной периферийной области мкм и последующее перемещение зоны через одну из пластин под действием градиента температуры Способ обеспечивает получение слоев с однородным распределением по площади удельного сопротивления

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ABTOPCKOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4421007/26 (22) 04.05.88 (46) 07.04.91. Бюл. М 13 (71) Новочеркасский политехнический институт им. Серго Орджоникидзе (72) А,И. Колесниченко, В.Ф. Кукоз, В.Н. Лозовский и Л.В, Тузовская (53) 621.315.592 (088.8) (56) Лозовский В.Н„Лунин Л.С., Попов В,Н.

Зонная перекристаллизация градиентом температуры полупроводниковых материалов. — M,; Металлургия, 1987, 232 с. (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СЛОЕВ Si ИЛИ

Ge, ЛЕГИРОВАННЫХ ЛЕТУЧЕЙ ПРИМЕСЬЮ

Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано для получения слоев Si или Ge, легированных летучей примесью.

Цель изобретения — получение слоев с однородным распределением по площади удельного сопротивления, Пример 1. В качестве исходных источника и подложки используют пластины Sl марки КЗФ 20 диаметром 76 мм, ориентированные в направлении (100 . По окружности периферийной области пластины-источника с помощью. химического травления выделяют бортик высотой 50 мкм и шириной 2 мм. Собирают композицию, совмещая подложку с бортиком источника, Композицию устанавливают в графитовую Ы„„, 1640220 А1 (я)5 С 30 В 19/06, 29/06, 29/08 (57) Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано для получения слоев Si или Ge, легированных летучей примесью.

Цель изобретения — получение слоев с однородным распределением по площади удельного сопротивления. Способ включает формирование между двумя пластинами Si или Ge зоны раствора-расплава толщиной периферийной области 2 — 5 мкм и последующее перемещение эоны через одну из пластин под действием градиента температуры.

Способ обеспечивает получение слоев с однородным распределением по площади удельного сопротивления. кассету. Рядом с композицией размещают навеску сплава, содержащего 90 мас.% Sn u

10 мас. $ Tlz массой 2,1 г. Кассету помещают в реактор печи, Реактор герметизируют и заполняют гелием. Печь нагревают до температуры расплавления навески. Расплав под действием капиллярных сил заполняет зазор между кремниевыми пластинами.

Толщина сформированной зоны растворзрасплава в центральной области диаметром

72 мм составляет 52 — 53 мкм. Толщина периферийной области зоны раствора-расплава равна 2 — 3 мкм. Далее устанавливают рабочую температуру в печи 1300 С при градиенте температуры, направленном перпендикулярно плоскостям пластины и равном 15,С/см. Перекристаллизацию источника осуществляют в течение 40 мин.

1640220

Формула изобретения

Способ получения cnoee Si или Ge, легированных летучей примесью, включающий формирование между двумя пластинами Si или бе зоны раствора-расплава уменьшенной толщины в периферийной области и последующее перемещение зоны через одну из пластин под действием градиента температуры, отличающийся тем, что, с целью получения слоев с однородным распределением по площади удельного сопротивления, формируют зону толщиной в периферийной области 2 — 5 мкм.

Составитель А. Лихолетов

Техред М.Моргентал Корректор С. Шевкун

Редактор С. Пекарь

Заказ 1000 Тираж 270 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская нэб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101

Полученный зпитаксиальный слой имеет толщину 1 мкм и равномерное распределение удельного сопротивления(7,8 Ом см) по площади центральной области, диаметр которой составляет 72 мм, 5

Пример 2. Процесс получения слоя осуществляют аналогично примеру 1, Однако в качестве подложки используют кремниевую пластину марки КДБ 10, а на пластине-источнике выделяют бортик высо- 10 той 35 мкм. Масса навески сплава, содержащего 97 мас. Sn и 3 мас, Sb, составляет

1,7 г. Толщина сформированной зоны раствора-расплава в центральной области составляет 39 — 40 мкм, а в периферийной 15

4-5 мкм.

Полученный зпитаксиальный слой имеет толщину 1 мкм и равномерное распределение удельного сопротивления (4,7 10 Ом см) по площади центральной 20

-з области, диаметр которой составляет 72 мм.

Пример 3. В качестве исходных источника и подложки используют пластины Ge марки ГДСЗ-10 диаметром 40 мм, 14 ориентированных в направлении (111), По 25 окружности периферийной области пластины источника с помощью химического травления выделяют бортик высотой 40 мкм и шириной 2 мм. Собирают композицию, совмещая подложку с бортиком источника, 30

Композицию устанавливают в графитовую кассету. Рядом с композицией размещают навеску сплава, содержащего 97 мас. Sn и 3 мас, Sb, массой 0,4 г. Кассету помещают в реактор печи. Реактор герметизируют и заполняют гелием. Печь нагревают до температуры расплавления навески. Расплав под действием капиллярных сил заполняет зазор между пластинами Ge. Толщина сформированной зоны раствора-расплава в центральной области составляет 42 — 43 мкм, а в периферийной 2 — 3 мкм, Далее устанавливают рабочую температуру в печи 800 С, при градиенте температуры, направленном перпендикулярно плоскостям пластин и равном

8 С/см, Перекристаллизэцию источника осуществляют в течение 40 мин, Полученный зпитэксиальный слой имеет толщину 1 мкм и равномерное распределение удельного сопротивления по площади центральной области, диаметр которой составляет 36 мм.